[uquote="rl55",url="/forum/viewtopic.php?p=4087846#p4087846"]Express, бросил бы ты это безнадежное дело и не мучил бы ни себя, ни людей!
Ну вот что за чушь ты написал?
0,5=1+0,5
Что я могу по ней тебе объяснить? [/uquote]
Не, не могу бросить, я же матан. как то сдал. А тут на тригонометрии засыпается. Не, так не пойдёт.
Добавлено after 49 seconds:
[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=4087849#p4087849"][uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4087839#p4087839"]ничерта не понял[/uquote]
Период повторения для суммы 2 или более частот будет соответствовать наименьшей общей кратной частоте. Но только самой этой частоты в спектре не будет.[/uquote]
Дураку обьяснять- только новые вопросы получать. если ты 2 параллельных резистора не смог посчитать- какой из тебя матан? ты болван
вот станешь ты анжанером, и что ты делать то будешь? А, потом то дома рушатся, то газ взрывается, то плотины. А то и в космос ракета не летит. как страшно жить-то...
Express писал(а):Дайте ка подумать.
Чем, простите?
Шекспир сказал: Судить меня -дано лишь Богу, другим я укажу дорогу... https://natribu.org/
Я его полностью поддерживаю.
Программирую на Fuse AtmelAVR.
Начинается.. социальные истерики.
Алежа, анженером я не буду даю чес слово могу поклясться на книге ХиХ, дома рушатся не будут.
Данные знания будут применяться исключительно для личных целей, не во благо социума. Понятно? Можно даже сказать точнее ёмким словом, хобби. Понятно да?
Хобби, это когда человек САМ работает, работает, получает от работы результат, от результата удовольствие.
А уже потом, после получения результата, может взять и похвастаться перед другими людьми.
Уважаемый Express! Прошу прощения, что вклиниваюсь в процесс Вашего освоения электроники, но мне очень нужно задать один вопрос. Когда-то не так давно (по историческим меркам) Вы спрашивали у уважаемой публики про режим квазинасыщения транзистора. Уже не помню, ответили ли Вам и куда именно, но сам термин меня заинтересовал. Для меня это явление новое, как и транзистор в целом, потому я решил в него вникнуть и собрал стенд для измерения коллекторных характеристик. Теперь я могу делать вот такие картинки (тут в качестве подопытного был какой-то левый транзистор с алиэкспресса):
Так вот здесь заштрихованная область - это и есть квазинасыщение?
lumped.net, да не стесняйтесь, вопрос был ответа не было.
Добавлено after 13 minutes 24 seconds:
Кстате я разобрался с суммой, оказывается я путал периоды и частоты у синуса х период больше а частота меньше чем у синуса 2х, кааапец блин...
Поддерживаю вопрос про квазинасыщению.
[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4087839#p4087839"]0,5=1+0,5[/uquote]
Слушай, Тормоз, а ты бармэном, случайно не работал? или кто-то из твоих родителей на разливе пива, или в розничной торговле?
что-то мне это напоминает.
рупь двадцать и рупь двадцать и того 3 двадцать
Шекспир сказал: Судить меня -дано лишь Богу, другим я укажу дорогу... https://natribu.org/
Я его полностью поддерживаю.
Программирую на Fuse AtmelAVR.
Ого, какой скол характерный. Это же из симулятора картинка? Уж очень гладкая на вид...
КТ940 у меня в загашнике нету, попробую какой-нибудь 1300x из энергосберегайки замерить.
Кстати, подскажите, как положено снимать эти характеристики: должно быть Vbe=const или Ib=const?
в даташитах, как правило всегда Ib=const. хотя, по моему без разницы. А вот с пересчетами будет немного посложнее. изменения не так наглядны в случае с напряжением.
Шекспир сказал: Судить меня -дано лишь Богу, другим я укажу дорогу... https://natribu.org/
Я его полностью поддерживаю.
Программирую на Fuse AtmelAVR.
Нашёл на просторах интернета. СпойлерСмотреть надо не характеристики насышения, а КВАЗИНАСЫЩЕНИЯ (или напряжения начала насыщения при базовых токах, близких к Ic/h21э, а не многократно задранных). Дело в том, что Rc - коварная штука, оно максимально в линейном режиме на границе квазинасыщения, а затем, при росте тока или уменьшении напряжения, приводит к открыванию коллекторно-базового перехода "внутри" транзистора, что приводит как к отбору тока базы (падению H21э), так и к модуляции этого Rc за счет заливки высокоомного слоя коллектора носителями. Последнее - процесс инерционный, и вызывает резкий рост эффективной коллекторной емкости, одновременно снижая видимое на статической ВАХ падение напряжения коллектор-эмиттер. Напряжение насыщения - оно так и называется, поскольку соответствует полному насыщению тела коллектора носителями, когда его сопротивление падает до минимума (максимальная модуляция). Время рассасывания - это как раз время удаления этих носителей, модулирующих проводимость коллекторного (а не базового, как в старых совковых учебниках) слоя.
Эффект наиболее выражен у высоковольтных транзисторов (особенно pnp) в силу того, что для повышения пробивных напряжений приходится использовать слаболегированные и толстые (т.е. высокоомные) коллекторные области.
В стандартных SPICE- моделях этих эффектов нет, они не моделируются, но в жизни - имеются во всей красе.
Ну и зачем тебе это квазинасыщение сдалось?
Ну назвал автор начало насыщения таким термином - что тебе с этого?
И так известно, что существует разная глубина насыщения транзистора.
Зачем тебе в эти глубокие теории лезть, если ты простейших вещей еще не понимаешь?