А что если просто включить транзистор эмиттерным повторителем, при этом в эмиттер включить источник тока или даже просто резистор, а измеряя ток базы уже высчитать бету? Такая схема будет соответствовать работе транзистора в линейном режиме, гарантированно не начнет генерировать, так еще и напряжение коллектор-эмиттер можно менять в любых желаемых пределах. Тут правда хорошо бы еще и обратный ток коллектор-база вычесть, для большей точности.
Я ваще-то ожидал увидеть какой-нибудь приборчик на МК там с экранчиком, который кнопачку нажал - а он тебе и бету, и графики все рисует и во всех режимах тот транзистор гоняет вдоль и поперек. А, внезапно, ни одного (sic!) проекта по тестерам транзисторов на МК не нашел (ну, кроме транзистор-тестера Маркуса)...
_________________ "Какими бы глубокими знаниями я не обладал, каким большим не был бы мой опыт, всегда найдется человек умнее меня и имеющий больше опыта."
Я ваще-то ожидал увидеть какой-нибудь приборчик на МК там с экранчиком, который кнопачку нажал - а он тебе и бету, и графики все рисует и во всех режимах тот транзистор гоняет вдоль и поперек. А, внезапно, ни одного (sic!) проекта по тестерам транзисторов на МК не нашел (ну, кроме транзистор-тестера Маркуса)...
А что если просто включить транзистор эмиттерным повторителем, при этом в эмиттер включить источник тока или даже просто резистор, а измеряя ток базы уже высчитать бету? Такая схема будет соответствовать работе транзистора в линейном режиме, гарантированно не начнет генерировать, так еще и напряжение коллектор-эмиттер можно менять в любых желаемых пределах. Тут правда хорошо бы еще и обратный ток коллектор-база вычесть, для большей точности.
так, если генератор тока в эмитере, он задает не коллекторный ток а общий ток с базой, при низких h21 это вносит большие неточности. anw генерация сможет возникать на ос которая необходима для формирования тока базы... или вы его вручную предлагали крутить до выхода в линейный режим?))
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Ток базы формирует непосредственно сам транзистор, достаточно на нем установить некоторый потенциал в случаи если в эмиттере источник тока, и известный потенциал если там резистор. Вспомните как работает эмиттерный повторитель, никто в нем не подстраивает ток базы, этот ток потребляет транзистор в зависимости от потребителя. Погрешности от протекания тока базы через эмиттер большой не будет, так как величины взаимосвязаны, разница будет на единицу в показатели беты, так как ток эмиттера в бета +1 больше тока базы, не думается что такое различие слишком велико, тем более оно известно. Вообще же вы не указали какая вам нужна точность от данной поделки, какие режимы, на сколько важен кпд и автономность устройства.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
да, подкручивать не надо НО при этом: 1.ток не совсем тот см выше (+1 при значении 10 это 10%... а иногда h21 у мощных бывает и 7 и 5 ) 2. напряжение Vce неизвесно какое. тоесть режим не заданный и точность низкая.
я чутьвыше набросал картинку как решить обе эти проблемки 1 мощным диф усилителем.
Последний раз редактировалось AlexS4 Ср окт 06, 2021 16:26:56, всего редактировалось 1 раз.
Влияние тока известно, конечное значение беты на единицу отличатся будет, напряжение на коллекторе можно выставить любое необходимое, ибо напряжение базы почти достоверно известно, за исключением падения на токоизмерительном шунте, но это очень малые величины.
я чутьвыше набросал картинку как решить обе эти проблемки 1 мощным диф усилителем.
А ничего что ваша схема тоже ток эмиттера измеряет, а не коллектора? И кто мешает при считывании показаний эту единицу учитывать? Тащемто ваша схема идеологический не сильно отличается от того что привел я, тоже транзистор включений эмиттерным повторителем, тоже ток задается резистором в цепи эмиттера, только напряжение на базе подстраивается так, что бы ток через резистор соответствовал. При этом вас не беспокоет, будет там +1 или не будет. К тому же вопрос обратного тока коллектор-база никак не оговаривается, а это может внести гораздо большую ошибки, нежели все остальные факторы. Не подумайте, я ничего не имею против вашей схемы, но она все же требует доработок, дабы соответствовать требованием именно измерителя, а для простого испытателя можно поступить и проще. Кстати, в ней небольшая ошибка, входы операционника перепутаны местами.
>А ничего что ваша схема тоже ток эмиттера измеряет, а не коллектора? вообще то нет переключателем выбирается именно с коллекторной стороны, иначе пришлось бы инвертировать ос на базу:) и напряжение ставится довольно точно именно на транзисторе, выбором Vcc.
в случае же генератора тока на эмиттер (без обратной связи) напряжение Vce сильно зависит от падения на самом генераторе или от сопротивления в базе и измеряемого h21e.
да для измерения начального тока (или обратного тока коллектора) нужно доработать коммутацию. напр сделать 2 кнопки с G и Vcc на неинвертирующий вход усилителя. кнопки защитить резисторами 100. ну или еше 1 группа контактов pnp-npn и 1 кнопка "Ibb test".
Признаться, моя невнимательность, не обратил внимания на подписи переключателя. И снова мы возвращаемся к вопросу напряжения К-Э, простая схема действительно устанавливает напряжение К-Б, да еще оно зависит от тока самой базы, но эта зависимость определяется в итоге сопротивлением шунта, сколько на нем упадет, 0,1В? На столько ли критично это при испытании транзисторов? Мы ведь не прецизионный измеритель транзисторов строим? Или строим? Тогда нужно применять бескомпромиссные решения и всевозможные защиты. Например вне зависимости от подключения транзистора и выбранного режима транзистор должен быть обесточен, а еще лучше иметь ограничение по току базы и коллектора, автоматический измерять обратный ток, чередуя с нагруженным режимом работы, что приводит нас к импульсному измерителю, нечто по мотивам л2-42, за одно это открывает возможность работать с мощностями которые существенно превышают таковые для источника питания.
SecreT UseR, а ты про какую схему?, ато чет явно мы про разное. я говорил чисто про идею запитать эмиттерный повторитель неким источником фиксированного тока и померить ток базы, бог с ним с добавлением тока базы, это скорее мои придирки, 1 член в выражении, но напряжение то либо будет оставшееся от работы независимого источника тока либо нужна таки ос чтоб его поставить какимто заданным, чуть меняя ток базы например.
Добавлено after 22 minutes 36 seconds: а все, понял о чем ты, да идея красивая, только качественная реализация генераторов тока и напряжения не даст преимущества по сложности а мож даж наоборот.
А схема проще некуда, хоть и имеет заметные недостатки. Замена эмиттерного резистора на источник тока сильно повышает точность измерения, а если еще добавить амперметр в коллектор, да еще и вольтметр в К-Э, и может даже Б-Э, то можно хоть графики строить.
да она красива, и использовать сам транзистор как генератор тока тож красиво ! я обобщил идею так, но anw либо куча оговорок и неточностей/ограничений, либо довольно сложная реализация, не проще альтернативных, тоесть идея хороша именно в простом виде, как быстрый метод на коленке а не как концепция для прибора.
ХА )) Если схема тестит ещё И ГЕРМАНИЕВЫЙ транзистор ... Это же просто праздник какой то !!!! Как говорил мой любимый персонаж Карабас Барабас ! ))))))))
_________________ Не спрашивай по ком звонит колокол, он звонит по тебе !
Ну приборы каждый понимает по своему, для одних "не прошел поверку - не прибор", другие напряжение в розетке на ощупь по высоте прыжка определяют, а истина она где-то по середине. Предложенная схема даже без оговорок и неточностей вполне позволяет выбрать из кучи экземпляр с искомой бетой 20/50/100/300 (нужное подчеркнуть) и подобрать пары по минимальному разбросу, и пусть точность будет +-10%, пусть напряжение К-Э плавает, на сколько часто возникает потребность отбора транзисторов с абсолютной точностью? Видится мне не часто, поэтому даже если подобный прибор собрать без излишних наворотов в корпус, то он возможно сможет перекрыть потребности большого числа радиолюбителей. Дальше больше, добавление нескольких индикаторов (в паре с калькулятором) позволяет добиться высокой точности измерений. Опять же, под свои задачи свои решения, для серьезных задач применяют характериографы, хотя восприятие с них информации затруднительно.
Схема позволяет испытывать любые транзисторы, но если будите собирать версию с резистором лучше дать на нем падение напряжения по больше, дабы снизить влияние падения напряжение Б-Э. Вообще с неким снижением точности туда можно пихать любые транзисторы, кремний, германий, дарлингтоны, ну или дополнительно контролировать ток коллектора еще одним амперметром. Только не забывайте об обратном токе коллекторного перехода, это особенно актуально для германиевых транзисторов, тем более для мощных температура которых при работе выше комнатной. Очень забавно наблюдать как при разогреве бета плавно растет, переходя через бесконечность (ноль в знаменателе) и уходит в область отрицательных значений.
Если схема тестит ещё И ГЕРМАНИЕВЫЙ транзистор ... Это же просто праздник какой то !!!!
все перечисленные схемы безпроблем с германиевым, собственно у германиевого транзистора 2 заметных отличия: вах эмиттерного перехода смещена. ...и коллекторного тоже )) на практике, другими слвами: 1.прямое падение на эмитере 0.1..0.3V вместо 0.5..0.8V у кремния 2.дичайшие утечки в обратку, тоесть очзаметный обратный ток из коллектора в базу, который приоткрывает транзистор.
Да, выглядит вроде неплохо, однако ток базы ограничен 0,1 или 1 мА (переключается вручную) при постоянном Uce = 5 вольт, и то все это очень приблизительно, и сильно зависит от китайности примененных мосфетов (их внутреннем сопротивлении). Плюс не нашел в прошивке поправку на внутреннее сопротивление АЦП контроллера, поэтому что они меряют с резисторных делителей - ну, какое-то значение. Поэтому на выходе конечно будет некоторое значение Hfe, но скорее всего в "попугаях". Однако, спасибо, как простой показометр наверное можно использовать, возьмем на вооружение.
Ну, тут ничего не понятно, так как ни прошивки, ни собственно схемы вменяемой. Видимо, автор хотел построить ИТУН и рулить им через какие-то спец ЦАПы (ажно 17-битные!).. Вообще, идея ясна, реализация непонятна, схем нет, прошивок нет, проект мертвый.
Погуглил еще и узнал о существовании ХАРАКТЕРИОГРАФОВ транзисторов (просто я этого слова ключевого не знал, вбивал всякие тестеры и испытатели в гугл). Вот это уже ближе к тому, что я хотел бы видеть при тестировании.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 30
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
