Не прошло и трёх (десятков) лет, и я-таки понял, как работает узел поддержания сквозного тока по
Авторскому Свидетельству SU 1566463 (
стр.1,
стр.2,
стр.3).
Рассмотрим "верхнее" плечо схемы УНЧ "Корвет 200УМ-088С".
Делитель R10,R11 и цепь R17,R20 подобраны так, чтобы без входного сигнала транзистор Q3 был заперт (напряжение Ube, задаваемое этим делителем и падением напряжения на R20, меньше порогового). Почти весь ток цепи R17,R20 распределяется между открытым транзистором Q5 и прямосмещённым диодом D11.
При этом становится возможной работа петли ООС, следящей за величиной тока покоя выходного транзистора: потенциал базы Q5 управляется падением напряжения на эмиттерном резисторе R3 ВК.
Снижение напряжения на этом R3 (в моменты отрицательной полуволны входного сигнала) передаётся ЭП Q5 на базу транзистора Q1, который снижает отбор тока в нижнем плече делителя R4,R6, тем самым препятствуя дальнейшему закрыванию выходного транзистора.
В положительную полуволну входного сигнала увеличение потенциала базы выходного транзистора передаётся через прямосмещённый диод D11 на верхний вывод R20, позволяя открыться транзистору Q3. Q3 забирает на себя ток, достававшийся ранее транзистору Q5 (который, к тому же, на положительной полуволне сигнала начинает закрываться растущим падением напряжения на R3 ВК).
Таким образом петля ООС, следящая за сквозным током транзисторов "верхнего" плеча ВК, разрывается. В этот же момент (на положительной полуволне сигнала) петля ООС "нижнего" плеча ВК продолжает поддерживать некоторое ненулевое значение сквозного тока в своём плече.
"Нижнее" плечо узла работает аналогично.
Ток покоя транзисторов ВК задаётся потенциалом делителя R4,R6||Q1;R5,R7||Q2. Ток, который может отобрать на себя транзистор Q1 (и Q2), устанавливается потенциометром R8 в эмиттерной цепи.
Единственное, что мне пока не удалось достичь, - полного постоянства тока покоя ВК при изменениях нагрева. Наблюдается некоторый рост тока с увеличением нагрева.
Токи каждого из девяти транзисторов плеч ВК:
- @27°C, 34mA;
- @55°C, 37mA;
- @75°C, 40mA
Все мои предыдущие попытки "улучшить" узел поддержания величины сквозного тока транзисторов ВК заменой кремниевых диодов D11,D12 на диоды Шоттки были ошибкой. Такая замена приводит к ухудшению температурной стабильности тока покоя ВК.
Лучшая зависимость тока покоя от температуры получается, если для сдвига потенциала средней точки делителя R17,R20 использовать не прямосмещённый кремниевый диод, а ЭП на транзисторе Q1001 (Q1002).
Кроме того, несколько лучшая термостабильность тока покоя (а так же, попутно, -
увеличение петлевого усиления на ~5dB) может быть достигнута заменой R4 (и R5) на ГСТ (J1, J2). У применённого BF245C в данном режиме наблюдается снижение тока при возрастании нагрева, что помогает сделать зависимость тока покоя ВК от температуры более горизонтальной.
Таким образом, безотсечечность транзисторов ВК должна уточняться подбором сопротивлений R11,R12 или, возможно, - величиной R20,R21.
)
