Принцип очень простой: делить напряжение питания резисторным делителем и сравнивать со стабилизированным напряжением на линии TEST чипа (пин 37). На этой линии при достаточном напряжении питания висит минус 5 В относительно пина 1 (+ батареи). Напряжение с делителя падает при разряде батареи пропорционально напряжению батареи и в конце концов станет меньше этих самых 5 вольт (тоже со знаком минус), т. е. потенциал средней точки делителя станет выше потенциала пина TEST. Когда разность напряжений достигнет порога открывания мосфета (для SI2300 это порядка 0.6 В), он откроется и подтянет сегмент "батарея" на дисплее к линии TEST, соответственно сегмент отобразится. Резисторы делителя нужно подобрать так, чтобы мосфет полностью открылся при напряжении батареи 7.0 В. Я в итоге остановился на номиналах 560 кОм внизу и 1.2 МОм вверху, эти номиналы зависят от фактического напряжения на пине TEST (оно у разных экземпляров чипа немного разное) и от порога открывания мосфета.
Кстати, эта схема подсмотрена со старого M830BUZ, где она не распаяна (а сигнал выведен с чипа), но вся разводка на плате есть.
Добавлено after 1 hour 53 minutes 25 seconds:
Не исключено, что в оригинале транзистор предполагался биполярным, а не полевым. Но мне с полевым удобнее - можно использовать резисторы мегаомного масштаба и не думать об энергопотреблении.
