ну да, если речь не о маленьком транзисторе, СA= нужный ток, и CV=1,2V поставить чтоб не убить транзистор об выходной электролит.
но выше тож прочитать
Я делаю прибор на МК для подбора пар транзисторов в двухтакт по двум точкам (100мА и 1А). Со схемой определился, остался вопрос - как мерить ток базы? Шунт в базовую цепь + ОУ?
Да, схема на ОУ это вариант. Или что-нибудь отсюда: https://www.chipdip.ru/catalog/current-sense-amplifiers
Но для чего вам "точка, после которой базовый ток продолжает расти, если продолжать крутить резистор, но ток коллектора уже не повышается"
[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=4672498#p4672498"]для чего вам "точка, после которой базовый ток продолжает расти, если продолжать крутить резистор, но ток коллектора уже не повышается"[/uquote]
Точка уже не нужна, это я просто коряво объяснил. В симуляторе приведённая выше схема делает то, что нужно.
AlexS4 писал(а):если достаточна точность в 1% то ток базы
Ib=(Vcc -0.6V)/Rb где Rb сопротивление от базы до Vcc
Честно признаться, не совсем понял (а точнее - не понял совсем). Можно то же самое, но применительно к схеме - где тут Rb, например?
AlexS4 писал(а):что по задумке должен делать TL431 ? так он не регулирует(не стабилизирует) ни ток ни напряжение...
Понять это могут не только лишь все. Данная схема - "бетник" для подбора пар транзисторов. Что стабилизирует здесь ТЛ-ка - я тоже до конца не понял, но оно работает.
так же хорошо будет работать "бетник" если выкинуть всю эту безграмотную халобуду слева:
U1, R4 удаляем
Vcc=5V например
R3 = 300R
RV1= 10k тогда его регулировкой можно будет получить Ib=0.4..14mA это подойдет?
(какой ожидаемый диапазон h21e у подбираемых транзисторов? )
и тогда Rb=R3+RV1(в положении когда Ic достиг нужного порога)
что конкретно предполагается поручить МК - ?
зы
возможно есть смысл сделать регулируемый источник тока управляемый источником напряжения построенном на pwm
и этим током запитывать базу.
затем меняя pwm подходить к нужному току коллектора и зная коэф получившийся на границе pwm вычислять ток базы.
если то что я написал совсем неясно то скорее всего перед решением этой задачи надо долго тренироваться на кошках
Последний раз редактировалось AlexS4 Сб янв 18, 2025 00:33:52, всего редактировалось 1 раз.
Martin76, да, тупанул.
сбило то что зачемто регулируется напряжение.
такое вот здесь обсуждали уже https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 4#p4101864
если мы это запитываем внешним генератором тока
то задача сводится только к измерению тока базы и + мы получаем защиту от неправильного включения
можно для пилания испытуемых транзисторов построить генератор тока на tl431 и доп транзисторе (только не такой уродский термонестабильный, а человеческий, с измерением напряжения ровно на эмиттерном резисторе)
а в базу испытуемого просто какойто удобный шунт вляпать 100R скажем и мерить разность потенциалов на этом резисторе 2мя входами ADC. (для разных структоур резистор будет либо от выхода генератора тока либо от противоположного полюса питания)
а можно и сразу 2 испытуемых транзистора в общую цепь генератора тока втыкать. тогда надо 3 входа adc
Если есть возможность поменять схему для более простого измерения тока базы, то я только за.
Суть измерений такова: есть две точки - ток коллектора 100 мА и ток коллектора 1А. В первой точке меряем ток базы, вычисляем бету (коэффициент передачи тока). Затем делаем то же во второй точке. Из тех транзисторов, что более-менее совпали в первой отбираем те, что оказались близки по параметрам во второй. Для чего это нужно? У некоторых транзисторов есть зависимость беты от тока коллектора. Всё это только для того, чтобы подобрать максимально близкие пары из тех, что есть.
Если в процессе измерения есть возможность ШИМом менять либо ток коллектора, либо ток базы, то я - только за, можно строить график. Нужны только структурная схема и алгоритм.
ток Iс задается pwm0 каналом и контролируется на adc0 канале как падение на шунте R1: Ic=Vadc0/R1
(в линейном диапазоне он практически не зависит от нагрузки но зависит от температуры Q1,
посему его надо проверять+корректировать pwm регулярно)
токи баз измеряются как падения на токоизмерительных резисторах R4,R5
Ib_npn=(Vadc2-Vadc1)/R4 Ib_pnp=(Vadc3-Vadc2)/R5
можно засовывать 1 транзистор замкнув С-E у отсутствующего
R6-R9 восновном для защиты gpio портов на случай если прилетит внешнее напряжение на разьем для транзисторов.
еще можно аналогично контролировать напряжение на коллекторе Q1 (напр R10 , adc4) чтоб фиксировать выход за линейный диапазон. такое может случиться если засунуть транзистор со слишком низким h21e. без этого измерения - прийдется сделать границу валидных измеренных падений на R4,R5 с довольно большим запасом.
distinct писал(а):Если в процессе измерения есть возможность ШИМом менять либо ток коллектора, либо ток базы,
Нет такой возможности. ШИМом вы меняете средний ток, мгновенный остаётся неизменным.
Подбором транзисторов я занимался еще в прошлом веке. Токи измерял амперметром, результат записывал на корпусе транзистора, тогда они были большими. Схема вроде вашей собиралась на коленке за пять минут, проверка всех наличных транзисторов заняла два часа (измерения полагалось делать после прогрева, иначе хватило бы десяти минут ). И никакого МК. Или у вас массовое производство?
[uquote="HochReiter",url="/forum/viewtopic.php?p=4672671#p4672671"][quote="distinct"]
Подбором транзисторов я занимался еще в прошлом веке. Токи измерял амперметром, результат записывал на корпусе транзистора, тогда они были большими. Схема вроде вашей собиралась на коленке за пять минут, проверка всех наличных транзисторов заняла два часа (измерения полагалось делать после прогрева, иначе хватило бы десяти минут ). И никакого МК. Или у вас массовое производство?[/uquote]
У меня есть десяток германиевых транзисторов. Токи у них плывут в процессе измерения при помощи переменных резисторов, я уже замучался. Поэтому делаю прибор, который сможет подобрать их в импульсном режиме, без существенного нагрева кристалла.
distinct, я не вижу ни одного конденсатора в вашей схеме, а R3 вместе с RV1 задаёт напряжение на базе.
Транзисторы вам нужны для импульсной схемы? Если нет, то при работе они прогреются, интереснее знать параметры при рабочей температуре. Если да (УМЗЧ, наверное?), то быстро измерить напряжение на шунте - тоже не проблема.
[uquote="distinct",url="/forum/viewtopic.php?p=4672745#p4672745"]Токи у них плывут в процессе измерения при помощи переменных резисторов, я уже замучался. Поэтому делаю прибор, который сможет подобрать их в импульсном режиме, без существенного нагрева кристалла.[/uquote]Выше рекомендовал способ с ЛБП (с амперметром), миллиамперметром и с резистором
(для сохранности транзистора).
Измерение при напряжении 0,8-1 В с минимальным нагревом. Длительность процесса 1 сек для снятия показаний миллиамперметра (зависит от ловкости оператора).
Извиняюсь за навязчивость , но почитав дискуссию.
ток Iс задается pwm0 каналом и контролируется на adc0 канале как падение на шунте R1: Ic=Vadc0/R1
(в линейном диапазоне он практически не зависит от нагрузки но зависит от температуры Q1,
посему его надо проверять+корректировать pwm регулярно)
токи баз измеряются как падения на токоизмерительных резисторах R4,R5
Ib_npn=(Vadc2-Vadc1)/R4 Ib_pnp=(Vadc3-Vadc2)/R5[/uquote]
Всегда ли можно заменить обычный полевой транзистор вот таким (два стабилитрона исток-затвор) шимка PF6005AG. Транзистор тестер к слову его не определяет и завтор щупом мультиметра зарядить не удается
(два стабилитрона исток-затвор) шимка PF6005AG. Транзистор тестер к слову его не определяет и завтор щупом мультиметра зарядить не удается
