Микросхема К565РУ5

Brigadir

А просто двумя резисторами сместить общую шину на 5 вольт выше - не катит?
Кто то ищет стабилизатор для БП для отрицательного 5 вольт, а я просто ставлю 7805 кверх ногами...(если нет под рукою 7905). Какая нах разница? Потенциал ведь относительно какого то общего провода...(разумеется, чтоб тут не спорили, подаю на стабилизатор с диодного моста отрицательный потенциал, примерно 8 - 9 вольт).
Двуполярное питание: просто раздели однополярное пополам. Всего 2 резистора и один бочонок с электролитом. Общий провод = в серединке.

Реклама

IfoR

Подниму-ка я тему из недр форума.
У меня тут стал один вопрос. Я в попытках оживить УКНЦ, собрал тестер для этих микросхем памяти.

Всё как бы хорошо. Тестер работает просто: записывает в весь объём памяти псевдослучайную последовательность бит, а потом через секунду считывает всё проверяет, чтобы всё считалось правильно. Затем ещё через секунду повторяет процесс. Между этими операциями производится регенерация ОЗУ, как указано в справочнике, с периодом 2 мс.
Тестер отлично выявляет битую память от хорошей.
Но потом я тут из интереса взял и увеличил период регенерации в два раза больше: 4 мс. Исправная ОЗУ (у меня КР565РУ5Г 1991 г.) продолжала исправно работать. Увеличил ешё вдвое - работает. В итоге дошел до того, что в принципе убрал регенерацию между записью-чтением (т.е. регенерация происходит через 1 с в процессе этих операций) - работает! Увеличил интервал между записью-чтением до 5 с - &$%#$, работает!
И только когда я увеличил интервал до 10 с стали появляться ошибки чтения: 0.7% всей области ОЗУ оказалось битым. При увеличении интервала до 20 с уже примерно 50% записанных данных оказывается битыми (ну т.е. вся, учитывая что я записываю псевдослучайную последовательность).
Проверил осциллографом, не подаёт ли у меня МК лишние импульсы RAS - нет, не подаёт. Запись и чтение ровно через указанный интервал.

Так вот вопрос. Кто нибудь реально измерял какой реально максимальный период регенерации у этих ОЗУ? У меня получились цифры в 2500 раз больше справочника! Не могу понять, я что-то не учитываю или РУ5Г реально может хранить данные секундами?

Реклама

Jack_A

Ну раз получилось - значит, может.

Другое дело, что на такие интервалы регенерации в рабочих изделиях рассчитывать не нужно - хранение должно быть гарантированным даже для "наихудшего" экземпляра.

IfoR

Я понимаю, что параметры могут разнится от микросхеме к микросхеме, но не во столько же раз. Как будто в документации ошибку допустили: вместо 2 с написали 2 мс. Вот я и прикол понять не могу.

Причём значения повторяются от ОЗУ к ОЗУ. Я пробовал вместо КР565РУ5Г 91 г. ставить другую такую же. А теперь я вместо этой ОЗУ поставил старую микросхему КР565РУ5 (без буквы) 89 г. То же самое: на 10 с выдержки ошибка чтения составляет 0.9 % всех бит (т.е. статистически 1,8 % ОЗУ портится). На выдержки 5 с - тот же результат. На 2 с - ошибка 0.6%. На 1 с - ОЗУ читает без ошибок.

Ну т.е. как бы ладно. КР565РУ5Г 91 г. выдерживает выдержку 5 с. КР565РУ5 89 г. начинает страдать амнезией уже через 2 с. Но 1 с - это тоже в 500 раз больше паспорта. Два порядка.

Реклама

BOB51

Тест одиночной микросхемы не реальная схема, в которой таких микросхем несколько штук плюс разводка монтажа и прочие мелочи типа температуры окружающей среды и прочего...
Для работы и один "битый" бит может огромный вред нанести в реальном устройстве. Почему и дается гарантированный параметр.

Реклама

74LS00

Так какие преимущества такой низкой регенерации, разве оно позволит менять денные на высокой скорости ?
Может наоборот стоит уменьшать это время для ускорения работы.

Так какое потребление в этом замедленном режиме, экономия есть ?

Реклама

Rokl

[uquote="IfoR",url="/forum/viewtopic.php?p=4560444#p4560444"]Подниму-ка я тему из недр форума.
У меня тут стал один вопрос. Я в попытках оживить УКНЦ, собрал тестер для этих микросхем памяти.

Всё как бы хорошо. Тестер работает просто: записывает в весь объём памяти псевдослучайную последовательность бит, а потом через секунду считывает всё проверяет, чтобы всё считалось правильно. Затем ещё через секунду повторяет процесс. Между этими операциями производится регенерация ОЗУ, как указано в справочнике, с периодом 2 мс.
Тестер отлично выявляет битую память от хорошей.
Но потом я тут из интереса взял и увеличил период регенерации в два раза больше: 4 мс. Исправная ОЗУ (у меня КР565РУ5Г 1991 г.) продолжала исправно работать. Увеличил ешё вдвое - работает. В итоге дошел до того, что в принципе убрал регенерацию между записью-чтением (т.е. регенерация происходит через 1 с в процессе этих операций) - работает! Увеличил интервал между записью-чтением до 5 с - &$%#$, работает!
И только когда я увеличил интервал до 10 с стали появляться ошибки чтения: 0.7% всей области ОЗУ оказалось битым. При увеличении интервала до 20 с уже примерно 50% записанных данных оказывается битыми (ну т.е. вся, учитывая что я записываю псевдослучайную последовательность).
Проверил осциллографом, не подаёт ли у меня МК лишние импульсы RAS - нет, не подаёт. Запись и чтение ровно через указанный интервал.

Так вот вопрос. Кто нибудь реально измерял какой реально максимальный период регенерации у этих ОЗУ? У меня получились цифры в 2500 раз больше справочника! Не могу понять, я что-то не учитываю или РУ5Г реально может хранить данные секундами?[/uquote]
Любая ДОЗУ может регенерироваться и при переборе лишь только строк, или столбцов, или процедурой чтения, или записи. Т.е. остановите работу с памятью полностью(не трогайте её вообще) и через 2мс вы добьётесь своего, она спокойно всё забудет.))

Добавлено after 10 minutes 4 seconds:
[uquote="BOB51",url="/forum/viewtopic.php?p=4560679#p4560679"]Тест одиночной микросхемы не реальная схема, в которой таких микросхем несколько штук плюс разводка монтажа и прочие мелочи типа температуры окружающей среды и прочего...
Для работы и один "битый" бит может огромный вред нанести в реальном устройстве. Почему и дается гарантированный параметр.

[/uquote]
Одиночный"Битый" бит в байте ловится и исправляется элементарно битом "четности", достаточно дважды проинвертировать считанные из памяти данные. Так что одиночные ошибки в каждом байте памяти вычислительное устройство может вообще НЕ замечать.Просто будет работать немного медленнее на аппаратном, или программном уровне.

IfoR

Ну я же не идиот, я полностью останавливал регенерацию.

В общем, на YouTube мне подсказали: нужно сравнить время запоминания при высокой температуре корпуса. И действительно! Оказывается, микросхему ДОЗУ можно неплохо использовать в качестве изощрённого датчика температуры. Время "забывания" весьма быстро сокращается с увеличением температуры корпуса. Вот здесь я тестировал ДОЗУ КР565РУ5 8910 кода выпуска. Я накинул на корпус радиатор и терморезистором и стал его потихоньку разогревать феном, смотря при каких временах выдержки будут появляться ошибки чтения. Здесь время "забывания" - это интервал времени от момента начала записи всей области памяти в ДОЗУ и до момента начал чтения этой области для сверки. Оказывается, что время забывания сокращается примерно в 10 раз при увеличении температуры корпуса на 60 K. Если В начале экспримента при 30 градусах цельсия время забывания составляло 2,25 с, то на 63 градусах уже 0,6 с, а на 92 градусах 0,2 с. Всё равно не мало так то.

sa-ta

>> У меня тут стал один вопрос. Я в попытках оживить УКНЦ, собрал тестер для этих микросхем памяти.
а можно подробнее, что был за тестер ?

AlexS4

IfoR, ну просто повезло с экземплярами, технологии просто не позволяют ГАРАНТИРОВАТЬ что токи утечек во ВСЕХ емостях, хранящих данные, В целой ПАРТИИ чипов будут достаточными для хранения 100ms или 1s

.... как и гарантировать что не попадется чип или мешок чипов в котором эти утечки обеспечивают 1s или 10s при 30С

просто эти утечки обычно обусловлены локальными дефектами, которые трудно прогнозировать, просто статаистически определили при каких гарантированных параметрах обеспечивается приемлемый % выхода кристаллов и исходя из него сделали процесс отбора и рекомендации в дэйташите. по мере модернизаций технологий выращивания кристаллов и техпроцесса средние фактические параметры могли в несколько шагов улучшаться, но поскольку время регенирации не самый вожделенный параметр - его не побежали менять

c ростом температуры и утечки конечно растут и в pn переходах и в mos структурах.
утечки в диэлектриках и переходах и напряжения пробоя диэлектриков - оин из самых труднопрогнозируемых и труднообеспечиваемых параметров

например фактические напряжения пробоя затворов экземпляров mosfet могут во многие разы отличаться от гарантированных 20V или 12V (я конечно не призываю это использовать

, напоминаю что пробой обычных mos почти всегда необратим

)