lexx_l писал(а):Даташиты та я очень хорошо смотрел. А Вам советую сравнить первые графики в этих даташитах. Нельзя же только на таблицы смотреть.
Я же сказал, параметры хуже только те, что зависят от теплоотдачи корпуса. Транзистор с диодом имеет два кристалла и греется чуть больше. Именно поэтому в графиках есть небольшая разница.
Этот несчастный даташит на полтинники уже замучали. Ну давайте разбираться. Этот график приведен для следующих условий: 60% питания от максимума, при температуре кристалла 120 градусов и безснабберной схемы и учитывает соответствующие данным условиям потери. Но! В реальности питание заметно меньше, особенно под нагрузкой. Соответственно потери заметно меньше. Это первое. Второе. Простейший диссипативный (RCD) снаббер в разы снижает выбросы при переключении транзистора. Кто-то на одном из форумов проверял: без снаббера импульс мощности на транзисторе при выключении составляет 10-12кВт, со снаббером 1нФ 4-5кВт, со снаббером 2нФ 2-2,5кВт. И т.д. Следовательно, с применением снабберов нагрев ключей тоже в разы меньше. В третьих: обычно на радиаторах ключей ставят термодатчики на 70-75 градусов. А в том графике ясно сказано, что температура на охладителе -радиаторе (Т sink) = 90 градусов. Это значительно больше чем в реальных условиях. И, наконец, в четвертых:если вы так внимательно смотрели даташит, то должны были увидеть, что температура радиатора 90 градусов там достигнута всего лишь при 40 ваттах мощности, хотя даже самый простецкий комповый кулер без труда сдувает в 2 раза больше. Видимо, этот транзистор совсем не старались охлаждать, чтобы проверить его именно в указанных условиях. Это все я к тому, что условия, в которых построен тот график, весьма далеки от условий в косом и слепо переносить его с одних условий на другие не стоит. И использовать транзисторы с буковкой U на 40 кГц тоже не стоит. А несколько процентов большего нагрева ключа с диодом рояли здесь не играют.
,думаю кристаллы U и UD вообще из одного ящика 
