p-n Переход (электронно-дырочный переход)

[yaotzin]

книжку Барьеры читай.

[Lander]

Да читал я книжку барьеры! Не написано там про это!

Ну неужели трудно по рисунку подсказать, нашел бы я в книжке спрашивал бы я разве ?????

[Kotische]

Котище с твоих слов я понял что, если мы имеем батарейку 9 вольт, и в начале в диоде напряжение объемного поля составляло 0,1(вольт к примеру, не помню сколько там), то подключив батарейку к диоду, напряжение объемного заряда поля увеличится до 9 вольт.

Значит электроны и дырки будут стоять на месте и не будут переходить через барьер.

Типа если сложить две разных батарейки то ток пойдет от большего напряжения к меньшему, а тут просто будит все стоять на месте.

Типа имеем две одинаковые батарейки по напряжению соединенные параллельно.

Абсолютно точно! Очень хорошо сформулировал.
Да, оно будет стоять на месте. Прямой ток будет равен нулю.

[Kotische]

поччему тогда несоновные носители заряда "свободные" электроны в P-области (те что показаны стрелками) - почему они смогут перейти через барьер и уйти на "+" батарейки ??

Так они и могут и уходят!
Это и есть обратный ток перехода.
Поскольку концентрация неосновных носителей ОЧЕНЬ маленькая, то получается небольшим.

Грубо говоря, электрон толкает электрическое поле.
На всем протяжении от - батарейки до + батарейки, поле толкает электрон в одну сторону.
Он и должен свободно двигаться вдоль поля! Я впринципе не понимаю твоего затруднения!

[Lander]

Я понимаю, что обратный ток вызван неосновнми носителями заряда.

Вот что я не могу понять:




Энергетичский барьер на границе PN-перехода - это грубо говоря диэлектрик.

Если два проводника разделены диэлектриком, то тока ведь не будет ? Или будет, но тоже маленький, аналогичный обратному току полупроводника ?

[Kotische]

В пн-переходе НЕ диэлектрик, а СОБСТВЕННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК.
Отличие не большое, но есть.
Собственный полупроводник МОЖЕТ проводить инжектированные из другой зоны электроны.

[Lander]

Это я понимаю Так как обратный ток это реальное физческое явление

Я не понимаю почему Вот неосновной свободный электрон, двигаясь из P-области к первой границе PN-перехода, встречает область отицательно зараженную в которой не ни "свободный" электронов, ни дырок. Так как он пройдет через эту облатсь ?

[Gudd-Head]

Так как обратный ток это реальное физческое явление
Вот неосновной свободный электрон, двигаясь из P-области к первой границе PN-перехода, встречает область отицательно зараженную в которой не ни "свободный" электронов, ни дырок.

Если в ней нет ни электронов, ни дырок, то она не заряжена.

Так как он пройдет через эту облатсь ?

Если П-Н переход смещён в обратном направлении, то для электрона из П-области поле перехода будет ускоряющим, и он втянется туда и очутится в Н-области.

[Lander]

Оох ладно чувствую мне этого не понять, втянуться и ладно

Но чтоже такое электрический пробой ? откуда возникает большой ток неосновных носителей ? Их же мало

[Gudd-Head]

Но чтоже такое электрический пробой ? откуда возникает большой ток неосновных носителей ? Их же мало

Пробой... при обратном включении?

[Lander]

Да

[Kotische]

Пробой бывает двух типов, тунельный и лавинный.

При наличии хотябы минимального количества свободных носителей (наш случай) реализуется сценарий -
Лавинный пробой
При большом напряжении на переходе, напряженность поля в преходе становится достаточной чтобы
при пролете через переход неосновной электрон укорился до скорости/энергии достаточной для рожденияя электронно-дырочной пары.
С этого момента начинается лавинный рост концентрации носителей, делающий зону изолизующего полупроводника проводящим.

В изоляторах свободных носителей просто нет!
Поэтому в них реализуется сценарий -
Туннельный пробой
За счет искажения энергетической диаграммы внешним полем, в пределах радиуса туннелирования может оказаться дефект или примесь создающая энергетический донорный уровень лежащий на одном уровне с зоной проводимости.
Электрон может туннелировать с этого уровня в зону проводимости, в результате в зоне проводимости появляется свободный электрон и теперь уже может начаться лавинный пробой.

[Gudd-Head]

Точно-точно, неосновной носитель выбивает электрон у атома и рождает электрон-дырочную пару, которая, в свою очередь, тоже может родить ещё одну пару и т.д.

[Lander]

То есть грубо говоря неосновных носителей "свободных" электронов в P-области становиться больше ?

[Kotische]

Да, они лавинно размножаются, но не в п-области в зоне барьера.

[Lander]

Тоесть лавинное увеличение электронов происходит в зоне PN-перехода, а не в P или N-области ?

[Gudd-Head]

Тоесть лавинное увеличение электронов происходит в зоне PN-перехода, а не в P или N-области ?

Да, т.к. там сосредоточено электрическое поле.

[yaotzin]

нафига тебе еще лавинный пробой диода

Lander так почему при обратном подключении диода (когда подключили батарейку, + к N а минус к P) электроны с P области не переходят в N область ?

[Lander]

Вооот правильный вопрос yaotzin !!

Я это так и не понимаю!!!!!!


Может быть для отвлечения и для последующего понимания, нужно рассмотреть прямое включение. Сегодня задам вопрос

[Kotische]

нафига тебе...

Мне лично отвечать ему уже надоело. Yaotzin, принимай эстафету!
Ты уже стока книжек перечитал, что наверно уже гораздо лучше меня всё знаешь.
Я то это всё лет 20 назад изучал... а у тебя знания свежие!

А у этого кадра до сих пор "дырки" не существуют!!!
О каких переходах и включениях тут можно вообще распинаться?!
Физика - наука последовательная, где каждый понятийный кирпичик опирается один на другой.
Не разобравшись с процессами происходящими в чистом полупроводнике даже близко нельзя приступать к рассмотрению переходов! Или все объяснения будут "проктологическими", что мы собственно и наблюдаем.
Или пусть школьный учебник с синими и красными шариками читает!