Мелкие практические вопросы

danger3466

Друзья, вразумите, есть транзистор 2SC2625, PNP высоковольтный.
Что значит параметр Emitter-Base voltage (Vebo) = 7V. По сути это напряжение которое выйдет из его базы? Как он себя поведет если ему на базу дать импульсы от 0 до +30в?

Реклама

СКАЗОЧНИК

Начните с чего-нибудь попроще. А когда будет понятны для чего выводы транзисторов нужны и их названия, а также структура, тогда можно переходить к высоковольтным транзисторам и их управлением. ))
А так:

danger3466 писал(а):Emitter-Base voltage (Vebo) = 7V

Это по вашему же даташиту МАКСИМАЛЬНОЕ значение между эмиттером и базой транзистора при котором он не сгорит. При этом база должна быть более отрицательной, чем эмиттер. ( для n-p-n наоборот)

danger3466 писал(а):Как он себя поведет если ему на базу дать импульсы от 0 до +30в?

Все зависит от того как он включен в схеме и вообще что у него на этом самом эмиттере.
Если на эмиттере + 7 Вольт, то при НУЛЕ на базе теоретически он откроется.
Если на эмиттере + 37 Вольт, то при + 30 Вольтах тоже откроется. )))))
Если на эмиттере + 2 Вольта, то при + 9 вольтах не откроется. ))) и т.д. Ну, а если дадите на эмиттер + 30 Вольт, а на базу 0 Вольт.. То... кирдык.
Как-то так.
Сейчас умные дядьки придут и конкретно все расскажут.

Прошу прощения... Сразу не увидел. А с чего вы взяли что он Р-П-Р?
В вашем даташите вроде n-p-n. А ежели так, то все знаки поменяйте на иборот. (везде где + надо -).
И в биполярных транзисторах рулит ток, а в полевых напряжение...

Реклама

Slabovik

Напряжение эмиттер-база (Vebo) - это напряжение, приложенное к переходу эмиттер-база. А не база-эмиттер. Т.е. для перехода оно является обратным. Для NPN транзистора это означает, что на эмиттере плюс относительно базы. И когда напряжение превысит 7 вольт, произойдёт пробой перехода. При небольших токах этот пробой обратим и аналогичен пробою стабилитрона на обратной (!) ветви.

Для работы же транзистора как усилительного прибора, необходимой ток по переходу база-эмиттер. Напряжение при этом на переходе составляет 0.6~0.7 вольта...

danger3466

Блин, он ведь npn, спасибо. Похоже нужно идти спать

Реклама

СКАЗОЧНИК

ой бля! Точно...

бывает. туплю не по детски.

Реклама

danger3466

Вообще я понимаю как транзистор работает, как мне казалось, вот только большее напряжение меньшим напряжением коммутировать не приходилось.
Биполярника открывается током базы, в случае с NPN, током базы-эмитерного перехода. А вот напряжение ему имеет значение? Какие то же должны быть минимальные и максимальные значения?

Реклама

oleg63m

danger3466 писал(а):Что значит параметр Emitter-Base voltage (Vebo) = 7V. quote]
Это обратное напряжение, допустимое между базою и эмиттером, при котором не произойдет пробой(лавинный)
в базу совать импульсы более чем 0,7 вольт вредно для здоровья транзелей, если не ограничивать ток резюками.
Полевик открывается током базы, в случае с NPN, током базы-эмитерного перехода. А вот напряжение ему имеет значение? Какие то же должны быть минимальные и максимальные значения?

ересь полнейшая.
не знаю даже как ответить(при таком понимании работы транзистора) вобщем дело обстоит так: биполярный транзюк открывается током. базовый переход как правило 0,7 вольт. ставится последовательно резюк, чтобы ограничить ток базы на рекомендуемом уровне. полевик, наоборот, управляется напряжением(полем). у него в затворе ток в статике близок к нулю, а в динамике зависит от комплексного сопротивления емкости перехода затвор-сток перемноженного на К усиления(Эффект Миллера). вобщем одним постом не разъяснишь
блин, задолбала проблема последней мили, пока писал сообщение, все уже разжевали

Slabovik

Очень упрощённо:

У полевого транзистора нет базы. Соответственно, нет тока базы. Но есть затвор. На затворе потенциал, который "отмеряется" относительно стока. Чем выше потенциал - тел ниже сопротивление канала сток-исток.

Полевые транзисторы бывают двух типов J-FET и MOS-FET. Если не вникать в нюансы, то основное отличие только в напряжениях управления относительно истока. У J-FET характеристики аналогичны характеристикам электронных ламп, т.е. на затворе отрицательное относительно истока напряжение (а при нуле ток достигает максимума). MOS-FET имеют как правило рабочий участок с полодительым напряжением на затворе относительно истока.

Ну, и соотвтественно, у каждого этого типа могут быть разные проводимости - это аналогично как PNP - NPN

danger3466

Slabovik писал(а):У полевого транзистора нет базы

Дико извиняюсь, оговорился, биполярный NPN. Крыша уже едит

oleg63m

Slabovik писал(а): Чем выше потенциал - тел ниже сопротивление канала сток-исток.

Вы уверены? а ведь есть еще такие полевики как кп103, кп303, кп307, и иже подобные.
как с ними быть? не все же полевики с изоллированным затвором
хотя, вижу, выше есть обьяснение. просто у меня както половина сообщений появляется "потом" задержка офигенная

Gisteresis

Пятница 13, пора спать

Как он себя поведет если ему на базу дать импульсы от 0 до +30в?

По какой схеме включения?
Биполярный транзистор управляется током.

oleg63m

Gisteresis писал(а): пора спать

да шо ж ты за кот такой. мой кот наоборот с темнотою на гульки просится

Gisteresis

Мой тоже какой то бешенный. Активировался.

danger3466

Весна ))

Схема включения:

Скриншот 2015-03-13 22.15.19.png: (2.61 КБ) 676 скачиваний

У меня есть слабенький импульсный блок питания на 1A и еще один не рабочий, но мощный, с которого снят трансформатор и транзистор его качающий.
Схему усилил используя дохлый, диоды, дроселя, кондеры. Дошло время используя сигнал ШИМ и два внешних транзистора один будет раскачивать трансформатор который уже есть в это импульснике (5В, через него обратная связь с шим), а второй более мощный трансформатор от дохлого БП.

как то так:

Скриншот 2015-03-13 22.23.33.png: (3.06 КБ) 448 скачиваний

Slabovik

oleg63m писал(а):
Slabovik писал(а): Чем выше потенциал - тел ниже сопротивление канала сток-исток.
Вы уверены? а ведь есть еще такие полевики как кп103, кп303, кп307, и иже подобные.

Уверен, просто плохо сказал. Если по модулю смотреть, то у J-FET'ов наоборот, уменьшение отрицательного напряжения относительно истока открывает транзистор. Ну, а если в абсолюте, то это всё-таки повышение напряжения. Поэтому, чтобы не путаться, у J-Feтов напряжение на затворе частенько называют запирающим. Чем больше запирающее напряжение - тем сильнее заперт транзистор...

А лучше всего ВАХи смотреть

danger3466

Просто ШИМ амплитудой 30в, питание на трансформаторах 315в. Вот я и не могу понять есть какие-то ограничения на напряжение базы-эмитера

Gisteresis

Есть какие то ограничения токов.
Это Slabovik лучше скажет.

(У вас ведь какой то преобразователь напряжения на схеме?)

oleg63m

danger3466 писал(а):Просто ШИМ амплитудой 30в

транзистор, если он биполярный, имеет такие параметры как напряжение КБО и ток базы (IБЭ)
эти параметры желательно не нарушать. иначе транзель может либо пробиться по базе(тепловой пробой током), либо при пробое напряжением базы тоже коротнется базою, выйдя из строя.
вобщем надо согласовывать по напряжению и току(возможно подбором витков)

danger3466

Gisteresis писал(а):Есть какие то ограничения токов.
Это Slabovik лучше скажет.

(У вас ведь какой то преобразователь напряжения на схеме?)

С током все понятно, с напряжением не понятно.
Я хочу напряжением в 30в управлять напряжением 315в. А в даташитах не вижу ограничений по напряжению база-эмитер.

Я понимаю что в биполярном транзисторе коллектор-эмитерный переход открывается током база-эмитер (а не напряжением), но не могу понять есть ли какое то ограничение по напряжению база-эмитер.

К примеру возьмем транзистор 2SC2625:
Тип NPN
Коллектор-эмитер напряжение 400В
Ток коллектора 10А
Hfe(H23э вроде по нашему) = 10

Нагрузку на него подключим 315В

Итого подавая ток 0.5А на базу транзистора в схеме с общим коллектором получим Iб*Hfe = 0.5A * 10 = 5A тока на переходе. Верно?
А напряжение имеет значение? 2SC2625 я снял со схемы где им управляло напряжение 5В, и транзистор коммутировал 315В, а я на его базу хочу подать 30В или того веселей, 315В.

В даташите я такого не нашел, даташит:
http://www.es.co.th/Schemetic/PDF/2SC2625.pdf

Думал может даташит ущербный, достал даташит на пользуемый постоянно КТ503Г, там тоже такого параметра нет. Должно же быть какое то минимальное напряжение базы на которое он реагирует? И максимальное, которое его разрушит?

danger3466

oleg63m писал(а):
danger3466 писал(а):Просто ШИМ амплитудой 30в
транзистор, если он биполярный, имеет такие параметры как напряжение КБО и ток базы (IБЭ)
эти параметры желательно не нарушать. иначе транзель может либо пробиться по базе(тепловой пробой током), либо при пробое напряжением базы тоже коротнется базою, выйдя из строя.
вобщем надо согласовывать по напряжению и току(возможно подбором витков)

Эти параметры я вижу, Uкбо 450В, Iбэ 3A, я же запитываю 315В и 0.5A.

А могу я на его базу дать 315В? Получается Uбэ, как узнать?