Шурики писал(а):3. Про ток. Просто в цепи всегда есть ток. Напряжение, ЭДС, Разность потенциалов - это одни и те же термины , но они не про что. Ну всё-таки ток, который течет через цепь, он и выполняет всю работу.
В цепи ток есть не всегда. А лишь тогда, когда эта цепь ЗАМКНУТА и в этой замкнутой цепи есть источники ЭДС.
Заметьте, источники ЭДС, а не напряжение или разность потенциалов.
Падение напряжения и ЭДС - это "ДВЕ БОЛЬШИЕ РАЗНИЦЫ". Несмотря на то, что обе этих физических величины измеряются в вольтах. ЭДС - это функция ИСТОЧНИКА ЭНЕРГИИ. А падение напряжения - это СЛЕДСТВИЕ ПРОТЕКАНИЯ ТОКА через сопротивление.
По поводу транзисторов и площади коллектора Вы несете ахинею. Конструкция транзистора определяется не рассеиваемой мощностью (даже микромощные транзисторы имеют радиальную конструкцию эмиттера-коллектора). Такая конструкция позволяет получить высокую эффективность УПРАВЛЕНИЯ током коллектора.
То есть уменьшить почти до нуля неуправляемые токи и получить максимальный коэффициент усиления. Любое направление от эмиттера к коллектору проходит через базу. Патамушта база целиком окружает эмиттер тонкой пленкой. На внешней и внутренней границе этой пленки имеются в наличии те самые PN переходы. Причем вперехлест, поскольку база очень тонкая.
И коллектор формируют в основании кристалла конкретно в эпитаксиально-планарной конструкции транзисторов. Сплавные транзисторы (мощные в том числе) выполнялись С БАЗОЙ В ТЕЛЕ КРИСТАЛЛА, куда С ПРОТИВОПОЛОЖНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ кристалла вплавлялись эмиттер и коллектор. Причем коллектор был так же бОльшей чем эмиттер площадью. И на корпусе таких транзисторов сидит БАЗА, а не коллектор.
