транзисторы будут сильно грется, и перегреются.witia03 писал(а):и как будет вести себя аппарат если запустить?
я не знаю как его узнатьFreshMan писал(а):а сколько вообще время нарастания импульса...?
Во время переходного процесса, транзистор работает в линейном режиме, при этом на нём рассеивается много тепла. и тут этот переходной процесс долгий.FreshMan писал(а):WandererSc, а обосновать это можеш...?
регуляторы на осциллографе покрутить. растянуть фронт импульса на весь экран и по клеточкам посчитать.witia03 писал(а):я не знаю как его узнать
ну во первых мы еще не знаем сколько, пока witia03 еще только меряет это процес...WandererSc писал(а): тут этот переходной процесс долгий.
И в третьих, как (зная время) посчитать, сколько джоулей выделится на транзисторе? Ведь по мере открытия на нем падает все меньше и меньше напряжения. С другой стороны - ток все больше и больше. Брать средние значения? Или опять надо решать уравнения?FreshMan писал(а):ну во первых мы еще не знаем сколько, пока witia03 еще только меряет это процес...
а во вторых какая его норма...?
Типичный однополярный импульс напряжения между затвором и эмиттером IGBT или затвором и истоком MOSFET, подаваемый для управления преобразователем: В одной клетке по вертикали – 5 В. Отрицательное смещение отсутствует.witia03 писал(а):осциллограмма за затворе транзистора без 300 вольт
кстате я тоже заметил про отсутствие отр смещения. в чем может быть причина и как бороться с завалами фронтов? сегодня подал на него 30 вольт и попробовал зажечь дугу. горит. металл плавится но соответственно току мало. и даже регулировка по току работает. да а ведь у вас на фотографии оно тоже отсутствуетMoskatov писал(а):Типичный однополярный импульс напряжения между затвором и эмиттером IGBT или затвором и истоком MOSFET, подаваемый для управления преобразователем: В одной клетке по вертикали – 5 В. Отрицательное смещение отсутствует.witia03 писал(а):осциллограмма за затворе транзистора без 300 вольт
Не товарищ и не господин.FreshMan писал(а):товарищ, Moskatov
Высокая скорость нарастания dU/dt (более регламентированной) — риск защёлкивания IGBT (для случая, если ключи на IGBT); «медленное» включение и выключение транзистора — потери…FreshMan писал(а):критично ли время нарастания импульса и в каких пределах оно должно быть...?
К фронту управляющих импульсов это отношения не имеет.Гладилов писал(а):куда делись 50 вольт
Типичный управляющий импульс напряжения затвор-исток или затвор-эмиттер ключевого транзистора при наличии отрицательного смещения (с драйверами, подобными разработанным Большаковым, Мультиком и т.п.): Я тут мимоходом, у меня нет времени на ответы…witia03 писал(а):я тоже заметил про отсутствие отр смещения.
Может потому что этим полевикам оно на нужно?witia03 писал(а):но почему отсутствует отр смещение?
в описании написано что нужно-WandererSc писал(а):Может потому что этим полевикам оно на нужно?witia03 писал(а):но почему отсутствует отр смещение?
Код: Выделить всё
2. без подачи 300 В на выходные транзисторы посмотри форму сигнала на затворах мощных транзисторов (должно быть от -5В в запертом состоянии, и до +13В во время отпертого состояния, фронт 200-300 нс, спад 80-130 нс)Вот какие должны быть параметры импульсовwitia03 писал(а):а у меня хоть с транзистором хоть без транзистора смещения нетуКод: Выделить всё
фронт 200-300 нс, спад 80-130 нс)
а что за сомнения?WandererSc писал(а):Вот какие должны быть параметры импульсовwitia03 писал(а):а у меня хоть с транзистором хоть без транзистора смещения нетуКод: Выделить всё
фронт 200-300 нс, спад 80-130 нс)
Схему ещё раз гляну, а то у меня есть сомнения...
