Никак не могу въехать в самые элементарные вопросы.

[Express]

База транзистора делится на области активную и пассивную.
В источниках где про это написано может крышу сорвать от перегруза формул.
Если по простому сказать, то входной ток проходит через активную область базы, выходной ток через пассивную область базы?

[ПростоНуб]

Express, не верно. Технологически, невозможно сделать коллектор, эммитер и базу одинаковой площади. Область базы, находящаяся непосредственно между коллектором и эммитором называется активной, область базы прилегающая к коллектору или эммитеру, но не лежащая непосредственно между коллектором и эммитером называется пассивной. Область базы лежащая вне коллектора и эммитера называется переферийной.
Например, в сплавном транзисторе:

Здесь W1 - толщина активной области базы, W2 - толщина пассивной области базы, а W3 - толщина переферийной области базы.
Таким образом, ток всегда идет через все три области базы. Но так как сопротивления у этих областей различны, то и токи эти различаются.
Так же различно влияние этих областей на ток базы и токи коллектора и эммитера.
Если площадь коллектора больше площади базы, то переферийной области базы нет, есть только активная и пассивная.

[Express]

Что сопротивление активной области настолько маленькое по сравнению с пассивной областью что оно даже в расчётах не фигурирует? Везде фигурирует активная область rб? Интересно какое сопротивление у пассивной области?

[Ivanoff-iv]

а кто сказал, что в пассивной области база открывается?
степень открытия базы зависит от наполнения её неосновными носителями, поэтому чем тоньше база тем её проще открыть, а широкая пассивная область поэтому и называется пассивная...

[ПростоНуб]

Express, примеры:
- для обычных маломощных транзисторов сопротивлением пассивной области базы можно смело перенебречь
- для двухэммитерных транзиторов, как я уже писал выше, это сопротивление может быть свыше 100 Ом, поэтому не учитывать его нельзя
Cписок можно продолжать, но всех вариантов я просто не знаю и их не перечислю. А оно действительно Вам надо?

Добавлено after 7 minutes 14 seconds:
Ivanoff-iv, пассивная область базы не открывается, но полупроводник на то и есть полупроводник, что в нем есть свободные носители зарядов. Поэтому пассивная и переферийная области базы имеют конечное сопротивление и проводят ток. Более того, ток базы всегда проходит через пассивную область базы, так как иначе ему в активную область не попасть.

[Express]

Ни чё не понял нафига лезть току в пассивную а тем болле в перефериную область когда активная область меньше и соответственно сопротивление меньше? Не логично.

[Ivanoff-iv]

ну, это понятно
электрод не припаять к активной зоне, можно или к пассивной или к периферийной (зависит от конструкции), а активная слишком тонка для этого...

[Express]

[uquote="Ivanoff-iv",url="/forum/viewtopic.php?p=3839729#p3839729"]ну, это понятно
электрод не припаять к активной зоне, можно или к пассивной или к периферийной (зависит от конструкции), а активная слишком тонка для этого...[/uquote]

Ааа вы вон про что, тогда получается весь выходной ток должен пролетать именно по активной области?

[ПростоНуб]

Express, если параллельно резистору в 1 Ом подключить резистор в 100 Ом, то ток пойдет только через первый резистор или все же через оба?

[Express]

Через оба конечно.

[ПростоНуб]

Express, вот так же и ток между коллектором и эммитером идет через все области базы, даже если сопротивление активной области базы в 100 раз ниже, чем пассивной и/или переферийной.

[Express]

Да но там уже как то язык не поворачивается со стороны сопротивления говорить, там скорость и длинна пролёта важны?

[ПростоНуб]

Express, Важны, конечно. Но посмотрите на рисунок. Заряды вполне могут проходить не только через активную область базы, но и через пассивную и даже переферийную. Да, траектория длинее, но вполне допустима. В базу ведь заряды инжектируются через вывод базы, который физически можно подключить только к пассивной или переферийной областям базы, но никак не к тонкой активной.

[Express]

Хотите сказать, что инжектированые электроны рекомбинируются в пассивной или перефирийной области?

[ПростоНуб]

Express, частично. Если говорить о n-p-n транзисторе на рисунке, то часть электронов все же диффундирует в область коллектора из пассивной зоны. Часть рекомбинирует в базе, а затем выходит через вывод базы, приводя к необходимости увеличения базового тока и уменьшая коэффициент усиления. Поэтому чем больше пассивная и переферийная область, тем больше потерь на этой рекомбинации. И, в том числе, поэтому, чем мощней транзистор, тем меньше у него коэффициент усиления и больше ток базы.

[Express]

А вот как, ну теперь ясно. Одной непоняткой меньше стало.

[12943]

[uquote="ПростоНуб",url="/forum/viewtopic.php?p=3839764#p3839764"]В базу ведь заряды инжектируются через вывод базы,[/uquote]
Аяяй.

[ПростоНуб]

12943, не придирайтесь к терминологии. Ток - движение зарядов. Через вывод базы и ее пассивную область ток в открытом транзисторе течет? Течет. Значит в pnp транзисторе через вывод базы в базу "инжектируются" электроны, а в npn транзисторе - виртуальные положительные заряды.
Согласен, что в большинстве учебных пособий под инжекцией подразумевается только неравновесные концентрации носителей заряда в прилежащих к pn переходу областях.

[12943]

Щас ещё маленько придерусь:
[uquote="ПростоНуб",url="/forum/viewtopic.php?p=3839779#p3839779"]Часть рекомбинирует в базе, а затем выходит через вывод базы,[/uquote]
А вообще, конкретно здесь, сильно не старайтеся, только бисер израсходуете.

[Express]

[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=3839969#p3839969"]Щас ещё маленько придерусь:
[uquote="ПростоНуб",url="/forum/viewtopic.php?p=3839779#p3839779"]Часть рекомбинирует в базе, а затем выходит через вывод базы,[/uquote]
А вообще, конкретно здесь, сильно не старайтеся, только бисер израсходуете.[/uquote]

При чём тут бисер и толковое объяснение?
Ну давайте молчать.
Будет форум молчунов.

Добавлено after 18 minutes 45 seconds:
Ширше распишу. Один из электронов вылетевших с эмиттера под действием поля коллектора рекомбинирует с дыркой в базе выплёвывая квант энергии грея базу(вот тут не понятно куда электрон попадает в запрещённую зону или валентную?)
далее под действием потенциала базы электрон дрейфует в неё увеличивая ток базы, как токовой инжекции дырки нет из базы а есть дрейфовое движение, электрон в одну сторону дырка в другую. Как то так?