Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

изолятор толще, то емкость станет меньше, а макс. напряжение выше, но уменьшится воздействие затвора на канал

из-за меньшей емкости заряжать ее станет быстрее....
короче, как выбрать подходящий полевик? тот что стоит сопротивление канала слишком. С меньшим сопротивлением канала, как бы более уместный, очень чувствителен к Rg хотя емкость затвора почти вдвое ниже. Но все очень плохо, на 20омах он как кипятильник, на 5Омах холоден но у шимки начинает подгорать. А вот высоковольтному вообще без разницы ничего не меняется.
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

смотря под какую задачу,
полевики часто используются в каскаде с биполярным из-за низкого тока исток-сток.
12943
Друг Кота
Сообщения: 3702
Зарегистрирован: Чт окт 20, 2016 13:51:03

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение 12943 »

[uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3534954#p3534954"]из-за низкого тока исток-сток.[/uquote]
????
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше.
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=3535352#p3535352"][uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3534954#p3534954"]из-за низкого тока исток-сток.[/uquote]????[/uquote]
Может речь о том, что по умолчанию в Qucs, полевой транзистор с управляющим переходом, имеет большое значение сопротивления исток-сток, в полностью открытом состоянии ЕМНИП Rис ~ 3 кОм, (I=1мА, U=3В).
Возможно такие параметры модели в Qucs, взяты как преобладающие.
Возможно тоже самое справедливо и для транзисторов изолированным затвором. Поэтому используют каскады с биполярным.

[uquote="white_ghost",url="/forum/viewtopic.php?p=3535505#p3535505"]Мне надо в бустер 12в-30в 4А. 4А это максимальный пиковый чрез транзистор. как бы сейчас 4*4*0.4*0.7=4.5ватт много. если бы Rds был впределах десятков миллиом все станет значительно луше.[/uquote]
Чем вас не устраивает каскад с биполярным?
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

я как то и не думал а зачем каскад?
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

[uquote="white_ghost",url="/forum/viewtopic.php?p=3538019#p3538019"]я как то и не думал а зачем каскад?[/uquote]
у биполярного низкое сопротивление эмитер-колектор, а тока исток-сток полевого, отправленного на базу биполярного, хватит, чтобы полностью его открыть.
Например, Биполярный транзистор с изолированным затвором, БТИЗ(IGBT).
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор неужели этого мало и нужно прибегать к этой сомнительной конструкции ? это уже становится странновато, мне через транзистор нужно качнуть до 4А в пике и сколько при этом нужно тока на управление? Где слышал что транзисторы усиливают сигнал но это неточно.
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.
Полевые транзисторы усиливают сигнал слабее чем биполярные, но имеют меньший ток утечки.
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16375
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

[uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538484#p3538484"]На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.[/uquote]Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-исток и миллерову ёмкость. В случае ШИМа делать это надо быстро, дабы уменьшить время переходного процесса, в котором из-за большого сопротивления полуоткрытого канала выделяется большая мгновенная мощность, что может привести к перегреву и сгоранию мосфета. Единицы ампер в импульсе - нормальный ток драйвера затвора.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли? :shock:
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3538550#p3538550"][uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538484#p3538484"]На затвор подаётся не ток, а напряжение, и ампера там быть не может, так как сопротивление затвора велико, этож полевой транзистор.[/uquote]Угу, щас. На затвор подаётся напряжение. Оно перезаряжает (заряжает и разряжает) ёмкость затвор-исток[/uquote]
Я имел ввиду стационарный режим, но действительно чтобы поднять напряжение на затворе нужно сначала зарядить ёмкость полевого транзистора, и чем больше ток и меньше ёмкость, тем меньше время зарядки, время за которое напряжение на затворе возрастёт до необходимого значения.
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16375
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

[uquote="white_ghost",url="/forum/viewtopic.php?p=3538565#p3538565"]хм очень интересная точка зрения.[/uquote]Классика, однако.
[uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538608#p3538608"]Я имел ввиду стационарный режим[/uquote]А говорилось про ШИМ:
[uquote="white_ghost",url="/forum/viewtopic.php?p=3538476#p3538476"]у мня шимка со своего каскада отдает ампер в затвор[/uquote]Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

[uquote="white_ghost",url="/forum/viewtopic.php?p=3538565#p3538565"]хм очень интересная точка зрения. А как "подать" напряжение без тока? Так вообще можно было чтоли?[/uquote]
Напряжение без тока ещё можно представить, а вот ток без напряжения врядли. :D

[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=3538615#p3538615"]Небольшое дополнение. Драйвер затвора действительно отдаёт амперы при том, что берёт он из источника своего питания совсем немного - миллиамперы. Чтобы это было возможно, ему (как и практически всему) нужен блокировочный конденсатор по питанию, из которого как раз и кормится драйвер в переходных процессах, а между ними конденсатор восстанавливает утраченный заряд. Ну это - так, лирическое отступление, вдруг кому пригодится.[/uquote]
Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки?
Аватара пользователя
Slabovik
Друг Кота
Сообщения: 17234
Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 12:46:59
Откуда: Тюмень
Контактная информация:

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Slabovik »

Eltex писал(а):ток без напряжения врядли
Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле :wink:
Аватара пользователя
КРАМ
Друг Кота
Сообщения: 25149
Зарегистрирован: Чт янв 10, 2008 22:01:02
Откуда: Московская область, Фрязино

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение КРАМ »

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3538697#p3538697"]Любой к.з. виток[/uquote]
Сверхпроводящий виток.

Добавлено after 9 minutes 7 seconds:
[uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538684#p3538684"]Напряжение без тока ещё можно представить[/uquote]
Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов.
Вообще то говоря, ситуация с током затвора очень противоречивая. В смысле того, что чем ниже сопротивление канала, тем больше площадь затвора (фактически современный вертикальный МОСФЕТ - эта большое количество параллельных структур образующих многоугольники-соты на топологии. И дело далеко не только в статической емкости, которая относительно не велика, а в емкости Миллера, которая и создает значительный заряд затвора (эта емкость умножается на коэффициент усиления при пересчете на вход).
Таким образом, возникает замкнутый круг, когда низкое сопротивление канала (низкие статические потери) приводят либо к высоким динамическим (при ограничении тока затвора балластом), либо к большому току затвора выдаваемому драйвером, который в свою очередь начинает греться большими динамическими токами.
Низкопороговые МОСФЕТы еще более подвержены этому процессу, поскольку у них заряд затвора еще больше при примерно равных сопротивлениях канала по сравнению с высокопороговыми.
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16375
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

[uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538684#p3538684"]Да, неплохо бы заряжать затвор от конденсатора с ёмкостью большей чем ёмкость затвора, для стабильного тока зарядки, и видимо чем выше напряжение на этом конденсаторе тем больше ток зарядки?[/uquote]Напряжение на этом конденсаторе - это напряжение питания драйвера, обычно вольт пятнадцать. Просадка напряжения на нём будет тем меньше, чем больше его ёмкость.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
white_ghost
Вымогатель припоя
Сообщения: 603
Зарегистрирован: Пн июн 26, 2017 19:32:29

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение white_ghost »

Все чуднее и чуднее. Т.е драйвер берет миллиамперы а отдает амперы? :D шучу. Это все уже пройденный этап. из дш емкость х10 от емкости затвора. в моем 47нФ вроде... 473 написано и это гог а не как обычно +\-80% от фаз луны, а емкость затвора 4800пФ. Тут идинственое что непонятно... а зачем? ну т.е у мня есть входная емкость на 2200мкф которой хватает так что кнопку вкл\выкл можно быстро нажимать и свет не тухнет. И она, емкость, недалеко находится от входа шим по питанию, ну около 1 см. Однако это какая то чОртова магия, на конденсаторе 12в а сантиметром дальше у входа шим 7в. Ну как это так?
Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле

у витка есть сопротивление? :D
Eltex
Нашел транзистор. Понюхал.
Сообщения: 199
Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Eltex »

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3538697#p3538697"]
Eltex писал(а):ток без напряжения врядли
Легко. Ток Фуко. Любой к.з. виток в изменяющемся магнитном поле :wink:[/uquote]
Ток фуко это вихревое электрическое поле, в вихревых токах напряжение первично.
Везде, за исключением сверхпроводника, там ток возникает без внешнего поля, а точнее возникает магнитное поле.

[uquote="КРАМ",url="/forum/viewtopic.php?p=3538703#p3538703"][uquote="Eltex",url="/forum/viewtopic.php?p=3538684#p3538684"]Напряжение без тока ещё можно представить[/uquote]
Нельзя. Напряжение возникает в результате перераспределения зарядов, а это ток. Об этом и речь про затворы МОСФЕТов.[/uquote]
Если говорить о напряжении как о разности потенциалов, то напряжение вполне может существовать без тока.
Например поле точечного заряда в вакууме, будет создавать разность потенциалов в точках разно удалённых от заряда.
И да, если электрическое поле находится в среде, то будет возникать ток, даже если это ток поляризации.
Последний раз редактировалось Eltex Пн дек 31, 2018 13:18:36, всего редактировалось 1 раз.
Аватара пользователя
Slabovik
Друг Кота
Сообщения: 17234
Зарегистрирован: Чт апр 04, 2013 12:46:59
Откуда: Тюмень
Контактная информация:

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение Slabovik »

Eltex писал(а):в вихревых токах напряжение первично.
Вы допускаете классическую ошибку - путаете напряжение и ЭДС, а это не одно и то же :)
Ответить

Вернуться в «Теория»