Собственно схема :
Трансформатор тороидальный 25В 8А. Транзисторы Q1-Q4 планирую ставить рядом на радиатор. Выравнивающие резисторы в эмиттеры Q1-Q3 хотел поставить одноваттники на 0.01 Ом, но таких не нашел. В чипдипе минимум 0.1 Ом 5 Вт цементные. В худшем случае на одном будет выделяться 6.4 Вт мощности. Думаю, может по плате дорожку зигзагом от каждого транзистора пустить, как раз чтобы 0.01 Ом было. С обратной стороны платы полигон залудить для охлаждения.
После диодного моста планирую поставить NTC термистор, параллельно реле на 5 В, которое будет включать МК через опторазвязку. Питание МК и индикаторов через Hi-Link - импульсный преобразователь 220/5 В на 3 Вт. Земли транса и преобразователя будут соединены. Насколько это плохо? Может, лучше намотать обмотку на транс на 5В? Или воткнуть еще один понижающий транзистор с 12 до 5В?




