Ограничение тока на заданную величину

[Kalisnik]

А это, обычно, учитывается в расчетах?

Добавлено after 1 minute 38 seconds:
Т.е. p-канальный транзистор, например. Если n-канальный, то наоборот, с повышением напряжения емкость растет?

[charchyard]

какой нахрен p-n-переход? затвор полевого транзистора сделан из попикремния, отделён от n-канала оксидом кремния SiO2 и покрыт снаружи слоем алюминия, к которому приваривается вывод

[Телекот]

Нет. С повышением закрывающего напряжения ёмкость падает. Просто у транзисторов разной проводимости закрывающее напряжение имеет разный знак.
Там куча паразитных переходов.

[parovoZZ]

для всех расчётов

Давайте всё же будем отличать расчёт параметров от их определений.

Ёмкость при изменении напряжения на р-n тоже меняется.

Если говорить про полевики, то это справделиво только для JFET транзисторов. Для МОП транзисторов с изолированным завтором не актуально.

Для открытия транзистора использую драйвер который питается постоянным напряжением 12-15в которое на меняется стало быть и ёмкость не меняется.

Данный график не отражает зависимость емкости завтора от напряжения на нём.

При 13 В заряд затвора остается неизменным как и при 10 В. Т.е. после 10 В, как напряжение не повышай, новые Кулоны на затвор не прыгают? ))

как не прыгают? Если повышается напряжение на обкладках конденсатора, то неизбежно осуществляется заряд. Заряд измеряется в Кулонах.

[musor]

ничего там не растет и не падает иначе чем от дятки Мюлера.... затвор MOSFET просто кондер -НЕ ПЕРЕХОД
говорить о насыщени для мосфета вообще глупо а для затвора тем паче
вот с IGBT там все сложнее...

Добавлено after 3 minutes 22 seconds:
заряд гати да растет(и потери на управленрие) он зависить от ряда фактороф в тч и размаха сигнала управления но это неизбежное зло не хочете менится вернитесь к биполярам с пропорционално токовым управлением базой

[charchyard]

при повышении обратного напряжения обёмный заряд утягивается полем вглубь, т.е. электроны утягиваются вглубь пластины, канал переворачивает свою проводимость с n на p в n-канальных транзисторах. те происходит обеднение носителями и транзистор переходит в непроводящее состояние...

[parovoZZ]

какой нахрен p-n-переход? затвор полевого транзистора сделан из попикремния, отделён от n-канала оксидом кремния SiO2 и покрыт снаружи слоем алюминия, к которому приваривается вывод

клиповое мышление. Разновидностей полевых транзисторов чуть больше, чем здесь описано.

[Kalisnik]

musor, при определенном заряде затвора канал полевика полностью открывается. Наверно этот заряд и указывается в даташите в виде постоянной емкости затвора?

[parovoZZ]

Для открытия транзистора использую драйвер который питается постоянным напряжением 12-15в которое на меняется стало быть и ёмкость не меняется.

Миллер доказал, что это не так.

[musor]

<a href="./memberlist.php?mode=viewprofile&u=144831">Kalisnik</a>,
что там указывает производитель спроси у НЕГО но условия мизмерения там описаны ка оно стыкуется с Rs вопрос весма обьемный но графики также есть в ДШ
parovoZZ, конкретно выше пока обсуждали толка 1 MOSFET...
но таки разновидносте полевикоф много.... и далеко не все вы даже видели живьем..
эмект дядки М. это так называемая ДИНАМИЧЕСКАЯ ЕМКОСТЬ -тоесть емкость которой физически НЭТ проявляется она долка в момент изменения сигнала на стоке
и характерна тне толко для мосяетоф в схеме ОИ нои для биполек в ОЭ

[Килиманджаро]

Kalisnik,
Пожалуй надо открыть учебник физики за 5 или 6 класс и прочитать что такое емкость и заряд конденатора и зависимости между емкостью, напряжением и кулонами))).

[Телекот]

Можно почитать вот это.

[Kalisnik]

Килиманджаро, речь не просто о зарядах, кулонах и конденсаторах - это я, более менее, понимаю. Важно, как это реализовано в транзисторах.

Добавлено after 1 minute 44 seconds:
Телекот, Ок. Спасибо.

[parovoZZ]

но таки разновидносте полевикоф много.... и далеко не все вы даже видели живьем..

ГОСТ описывает 8 видов, это не считая подвиды. А сколько ещё за бугром? Но таки да - со встроенным затвором полевики не держал и даже на картинках не видел, хотя в учебниках про них охотно пишут. Про прочую экзотику вообще молчу.

Добавлено after 3 minutes 31 second:

так называемая ДИНАМИЧЕСКАЯ ЕМКОСТЬ

Нас она только и инетерсует, ибо статические параметры затвора МОП транзистора в импульсных схемах слабо интересны.

[Килиманджаро]

Kalisnik,
Если вы действительно намерены что то делать, то надо брать и делать а не слушать речи диванных теоретиков обо всем и ни о чем.

Что они вам посоветовали практического?
Правильно - ничего. Пустопорожнее болтание говна в бочке, или аналового источника тока с КПД 10%, или включение через лампочку.

Схему последнюю импульсного источника тока с форсажем при включении я привел. Какие сложности в ее реализации?

Я так понимаю вы студент начальных курсов и от форсунок весьма далеки. Просто вам надо по всей видимости написать курсовую, не более.

[Kalisnik]

Пустопорожнее болтание

Я бы так не сказал. Печально что Вы так считаете. Ни один человек не может знать всего. Обмен опытом и знаниями - неминуемый этап просвещения.
Более того, противопоставляя себя "большинству" компетентного сообщества, Вы должны быть очень уверены в себе. Потому что если Вы окажетесь неправы, Вы будете поставлены в глупое положение.

Более правильный - это конструктивный подход. Если возникает разногласие, нужно аргументировать свою позицию так, чтобы собеседник с тобой согласился. Либо, если аргументы Вашего собеседника сильнее Ваших, иметь смелость признать свое заблуждение. Непременно доказывая свою правоту, Вы рискуете оказаться в плену своих заблуждений...

Но... может быть Вы правы и все остальные заблуждаются ))

[Телекот]

Вы будете поставлены в глупое положение

ему не привыкать, он во многих темах в таком положении.

Пустопорожнее болтание говна в бочке, или аналового источника тока с КПД 10%,

Почему, я предлагал схему с высоким КПД и китайским модулем.

[Килиманджаро]

Kalisnik,
Не ошибается тот, кто ничего не делает.
Таких старперов я по роду профессиональной деятельности насмотрелся. Приди к такому и положи бумагу ему на подпись, он найдет сто причин чтобы отфутболить тебя и будет елозить как уж на сковородке, переживая за свою жопу. Такие в одиночку не решают - потому что очко у таких жим жим. Они решают как они выражаются - коллегиально, т.е. личную ответственность на себя серут брать. Такие тормоза повсеместны в каждом институте дабы усидеть на своем протухшем стуле.

Телекот, что ты предложил - китайскую поделку, выдуманную не тобой?

[Телекот]

Ты предложил использовать микросхему UC3843 придуманную не тобой и что. И использование этой микросхемы в схемах с большими токами не оправдано, так как падение напряжения на истоковом резисторе может достигать 1в.
Я предложил включение китайского модуля для работы в данном примере, зачем придумывать колесо если оно уже есть. Главное придумать как его лучше использовать.

[charchyard]

клиповое мышление

чо? графики с зависимосью ёмкости от обратного ты вставлял? они из даташиита какоого транзистора? мосфет или джфета? каким боком джфеты к силовым п/п приборам, которые обсуждаются в разделе питание? пример силового жифета, который бы был здесь кому то интересен приведи пжлст