[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4430318#p4430318"]вроде бы, на всех форумах во всем мире принято общение на языке форума...[/uquote]
ну да, и это по сути давно руглиш, как на МКС напр, давно пора сделать наш язык понятнее всем остальным ...ну навсякийслучай ( еще лет 50 назад классик заметил: проникновенье наше по планете особенно заметно вдалеке ... (c) )
[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4430380#p4430380"]давно пора сделать наш язык понятнее всем остальным ...ну навсякийслучай[/uquote]
Нет, пусть ОНИ его учат.
По паспорту транзистор IRF510 обеспечивает сопротивление открытого канала 0,5 Ohm (при напряжении затвор-исток равном 10 вольт).
Однако, если судить по Рис.№2, то при указанном открывающем напряжении сопротивление канала не выглядит меньше ~полутора~двух Ом.
Примерно такая же картина наблюдается и у других полевых транзисторов.
Там, где мне надо применить ключ, сопротивление канала должно быть минимально, не выше обещанных пятидесяти сотых Ома.
Повысить открывающее напряжение я не могу, мой предел - вольт ~8~9.
В первую очередь, - непонятно, почему в паспорте транзистора противоречивые данные?
А главный совет, - нужна подсказка, какой MOSFET надёжно открывается "логическими" (желательно - КМОП) уровнями?
("надёжно" == "имеет RdsON не более ~полуома на токе в пару ампер")
[uquote="catBot",url="/forum/viewtopic.php?p=4431552#p4431552"]По паспорту транзистор IRF510 обеспечивает сопротивление открытого канала 0,5 Ohm (при напряжении затвор-исток равном 10 вольт).
Однако, если судить по Рис.№2, то при указанном открывающем напряжении сопротивление канала не выглядит меньше ~полутора~двух Ом.[/uquote]
Тут уже выше сказали: учимся читать даташиты.
В ДШ на 2-й странице указаны режимы измерения: TJ = 25 °C, unless otherwise noted.
Рис № 2 это: Typical Output Characteristics, TC = 175 °C.
Полевики имеют отрицательный температурный коэффициент в отличае от биполярников.
Плюс обратите внимание на буковки рядом с "Т": j = переход, с = "корпус. Вопросы?
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Рядом есть график зависимости величины RdsON от температуры. Зависимость (на мой взгляд) не столь велика, чтобы объяснить ~трёхкратное расхождение величин.
Могу ошибаться.
(включать параллельно даже два IRF510 я не могу из-за и так слишком высокой ёмкости затвора...)
catBot, да 2-3 кратное изменение сопротивления полностью открытого канала в диапазоне рабочих температур -55...+150C - обычное дело.
практическое расчетное сопротивление у силовых fet обычно просто берут вдвое больше номинального @25C.
Добавлено after 6 minutes 45 seconds: mnbv, почти любой мелкий mosfet sot23 подойдет. Vgt у них обычно 1-2V и S несколько A/V , при 3V они уже достаточно полно открыты для 2A.
берите самые популярные вроде AO34xx, IRLML тож норм. если ток больше 2A - лучше пожирнее корпуса. вроде so8 или мелких d-pack, ~sot89 почемуто непопулярны и cоответственно дороже.
IRLML0100, наверное лучший из всех предложенных, хотя ёмкость затвора ~300pF. Надеюсь, FSA3157 сможет ей управлять хотя бы до 25MHz.
AO34xx - увы, маловато Vdss и неподъёмная ёмкость затвора.
Вообще, это ваше дело, разработчик сам проектирует концепции, но у меня возникает сильный диссонанс с мом опытом.
Зачем-то был взят заведомо не подходящий механизм, "аналоговый переключатель", который в-принципе прямо противоположен технологии управления MOSFET. В "переключателе" есть специальный механизм для переключения с минимизацией проникновения сигнала (заряда) между входами и выходом. На это специально тратится время и сглаживаются броски тока. И вовсе не рассчитаны они на динамическую нагрузку (затвор вовсе не "конденсатор"). Для управления затвором нужен "драйвер". Драйвер, а не переключатель. Как-бы.
Второе, требование по четким фронтам - это просто сказка. В затворе размазан разистор. Там еще и индуктивность, причем "огромная", ну и емкости всякого рода. Пихнуть жесткий фронт в затвор - это как пихать логику в несогласованный кабель - без бредятины не обойтись. Причем, никаким управлением нельзя сделать время вкл/выкл быстрее, чем указано в DS.
Для управления на ОченьВысокой частоте вообще применяют резонансное закачивание, т.е. на затвор приходит чистый синус. И даже при этих ухищрениях энергия управления зашкаливает. Для "ускорения" переключения еще есть методика подачи отрицательного напряжения на затвор. Это логично, это общепринятая технология и, что хорошо, эту пакость постепенно забывают. Т.к. MOSFET это совсем не то, что пишуть в азбуках, он гораздо сложнее. И подходить к нему с "коммутатором" вместо драйвера, да еще и столь высокой частотой ... удачно разработки. Опыта накопите много. Опыта полезного, в работе пригодиться.
я бы попробовал обычным буфферным cmos логическим элементом затвор легкого fet тягать, через резистор 10-30ohm чтоб добротность возникающих контуров уменьшить.
порямо 1 выход какогонить 74lvc1g57 или скажем 244 (у многовыходных - параллельно несколько элементов можно)
кмк из простых способов это даст максимальную возможную частоту.
( еще лет 50 назад классик заметил: проникновенье наше по планете особенно заметно вдалеке ... (c) )
