А, ну, тогда примите мои поздравления! И готовьте 100500 транзисторов для замены сгоревших.romserg писал(а):Это я про первую схему говорил. У ней если оба высоких уровня - все 4 ключа открыты!
H-мост на транзисторах
- Реклама
при таком включении падение на jbt ключе будет более 0.65..1V в зависимости от температуры и загрузки транзистора током (от коэф его использования по току).romserg писал(а):Тут уже нет никаких резисторов на базах, открытие должно быть полным?
в схеме же ОЭ, это напряжение будет = напряжению насыщения, оно зависит от типа транзистора и загрузки и может быть 0.01V..1+V и естественно что разработчик выберет бодрый по насыщению транзистор там где это важно, напр для низковольтного ключа, где это падение существенно влияет на кпд.
тоесть ОК грубо на 0.5+V хуже, вроде фигня, особенно на больших напряжениях, но представим при токе всего 3A
у ОK минимальное достижимое на массовых BJT транзисторах рассеивание ~2W а у ОЭ ~0.5W, а это уже разница между нужен радиатор или нет
а на FET общий исток от общего стока дает преимущество в падении на канале на многие порядки!!!
- Реклама
[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4800121#p4800121"]при таком включении падение на jbt ключе будет более 0.65..1V в зависимости от температуры и загрузки транзистора током (от коэф его использования по току).
в схеме же ОЭ, это напряжение будет = напряжению насыщения, оно зависит от типа транзистора и загрузки и может быть 0.01V..1+V ![/uquote]
Почему так происходит? Базе не хватает тока при ОК для полного открытия, что ли?
в схеме же ОЭ, это напряжение будет = напряжению насыщения, оно зависит от типа транзистора и загрузки и может быть 0.01V..1+V ![/uquote]
Почему так происходит? Базе не хватает тока при ОК для полного открытия, что ли?
базе (точнее эмиттерному переходу) не хватает потенциала (напряжения открытия)
в смысле токов, дело не в количественных показателях, здесь нет прямой связи, это связано с принципами работы bjt
надо просто понять, что эмиттерный переход это вовсе не внешний диод, приделанный к управляемо-проводщему коллектору снаружи, это единая структура, напряжение между коллектором и эмиттером под коллекторным током может быть существенно ниже чем напряжение между базой-эмиттером,
другими словами: относительно базы, эмиттер - это кремниевый pn переход, со всеми свойствами, но относително коллектора - эмиттер не эквивалентентен pn переходу. такой парадокс неадекватности одной из распространенных эквивалентных схем .
надо просто принять этот факт, а если вопрос в том как такоее вообще возможно, то правильнее это обсуждать
гдето тут https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... start=2120
в смысле токов, дело не в количественных показателях, здесь нет прямой связи, это связано с принципами работы bjt
надо просто понять, что эмиттерный переход это вовсе не внешний диод, приделанный к управляемо-проводщему коллектору снаружи, это единая структура, напряжение между коллектором и эмиттером под коллекторным током может быть существенно ниже чем напряжение между базой-эмиттером,
другими словами: относительно базы, эмиттер - это кремниевый pn переход, со всеми свойствами, но относително коллектора - эмиттер не эквивалентентен pn переходу. такой парадокс неадекватности одной из распространенных эквивалентных схем
.надо просто принять этот факт, а если вопрос в том как такоее вообще возможно, то правильнее это обсуждать
гдето тут https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... start=2120
- Реклама
Всё, сейчас дошло 
БЭ и КЭ - между одними и теми же точками, значит, и напряжение одинаковое. Если БЭ держит на себе 0,7В - столько же будет и на КЭ, чисто по топологии схемы. Меньше просто быть не может. А если добавить в базу резистор - на нагрузке будет ещё меньше напряжение - соотвт, на КЭ - ещё выше. Т.о. в схеме с ОК транзистор просто никогда полностью открыться не может. Значит, для управления нагрузкой действительно больше подходит ОЭ.
БЭ и КЭ - между одними и теми же точками, значит, и напряжение одинаковое. Если БЭ держит на себе 0,7В - столько же будет и на КЭ, чисто по топологии схемы. Меньше просто быть не может. А если добавить в базу резистор - на нагрузке будет ещё меньше напряжение - соотвт, на КЭ - ещё выше. Т.о. в схеме с ОК транзистор просто никогда полностью открыться не может. Значит, для управления нагрузкой действительно больше подходит ОЭ.
- Вложения
-
- ok.png
- (2.13 КБ) 380 скачиваний
- Реклама
- Реклама
Немного полезной информации:
https://fornk.ru/3476-kak-rabotaet-h-mo ... nogo-toka/
https://fornk.ru/3476-kak-rabotaet-h-mo ... nogo-toka/
ну да, если не врут в дэйташите то там npn повторители сверху и не предусмотрено никакого отдельного питания их баз (бутстрепного или статического внешнего)
. TOTAL DC CURRENT UP TO 4 A
. LOW SATURATION VOLTAGE
тоесть она порядка 4W рассеивает на макс токе, по корпусу - похоже.
это старинный чип, вероятно тогда еще были проблемы с мощными pnp на общем кристалле
но для микро-моторчиков для механизации лентопротяжек и прочего подобного - это было приемлемо
более современные L6205 имеют бутстрепное (charge-pump) питание верхних n-fet ключей, соответственно в них при макс токе 5.6A корпуса dip/so c намного менее интенсивным отводом тепла
а еще более современные, вроде TA6586, имеют полумосты с общим истоком и снизу и сверху, на n-fet + p-fet
а в низковольтных (до 3..7V) - типа DRV8837 итп - это просто стандарт, по другому их не делают.
. TOTAL DC CURRENT UP TO 4 A
. LOW SATURATION VOLTAGE
тоесть она порядка 4W рассеивает на макс токе, по корпусу - похоже.
это старинный чип, вероятно тогда еще были проблемы с мощными pnp на общем кристалле
но для микро-моторчиков для механизации лентопротяжек и прочего подобного - это было приемлемо
более современные L6205 имеют бутстрепное (charge-pump) питание верхних n-fet ключей, соответственно в них при макс токе 5.6A корпуса dip/so c намного менее интенсивным отводом тепла
а еще более современные, вроде TA6586, имеют полумосты с общим истоком и снизу и сверху, на n-fet + p-fet
а в низковольтных (до 3..7V) - типа DRV8837 итп - это просто стандарт, по другому их не делают.
Попробовал поставить верхние ключи pnp
тоже, судя по всему, работать не будет, т.к. при подаче 5В, например на IN1, нижний ключ будет открыт, а верхний - тоже, т.к. на его базе будет +5В, а на эмиттере +12В.
ps. ограничения тока для баз не нарисовал, но они подразумеваются, конечно.
тоже, судя по всему, работать не будет, т.к. при подаче 5В, например на IN1, нижний ключ будет открыт, а верхний - тоже, т.к. на его базе будет +5В, а на эмиттере +12В.
ps. ограничения тока для баз не нарисовал, но они подразумеваются, конечно.
- Вложения
-
- hbrdio3.png
- (49.39 КБ) 299 скачиваний
romserg, если напряжение питания моста заранее определено (не требуется широкого диаппазона)
то проблема запрета сквозного тока рещается элементарно:
ставится 2 зенера(или светодиода итп) к базам плеч полумоста, с расчетом чтоб они были закрыты при висящем в середине выходе
например если питание 12V+-20% то нужны зенеры 8.2...9.1V тогда при =12V транзисторы будут открыты при напряжении управления ниже +2V и выше +10V а весь промежуток 2..10V оба зенера и оба транзистора - закрыты. вуаля.
то проблема запрета сквозного тока рещается элементарно:
ставится 2 зенера(или светодиода итп) к базам плеч полумоста, с расчетом чтоб они были закрыты при висящем в середине выходе
например если питание 12V+-20% то нужны зенеры 8.2...9.1V тогда при =12V транзисторы будут открыты при напряжении управления ниже +2V и выше +10V а весь промежуток 2..10V оба зенера и оба транзистора - закрыты. вуаля.
- Сообщения: 1263
- Зарегистрирован: Пн май 01, 2017 20:01:45
[uquote="romserg",url="/forum/viewtopic.php?p=4803456#p4803456"]Попробовал поставить верхние ключи pnp
...
тоже, судя по всему, работать не будет[/uquote] И это проблема? Откройте каталог мискросхем серии CD4000.
...
тоже, судя по всему, работать не будет[/uquote] И это проблема? Откройте каталог мискросхем серии CD4000.
А, это вот так?AlexS4 писал(а):2 зенера(или светодиода итп) к базам плеч полумоста
- Вложения
-
- hbrdio4.png
- (1.44 КБ) 221 скачивание
да, только 2 резистора база-эмиттер и 1 ограничивающий ток резистор последовательно источнику сигнала управления.
А вот ещё вопрос: можно ли так подтянуть базу верхнего ключа к питанию? Т.к. верхний ключ - эмиттерный повторитель, ему на базу 5В с логики будет мало.
- Вложения
-
- hbrdio5.png
- (30.8 КБ) 255 скачиваний
ну применять оптрон в качестве транзистора (или даже двух) какжется мне неправильным.
оптрон имеет смысл если нет стабильной гальванической связи, ну или хотябы между входом и выходом какието большие сотни и тысячи вольт, что непросто током управлять при такой разности потенциалов.
оптрон это очень плохой транзистор: кроме цены как у десятка транзисторов имеет например очень низкий hFE , у некоторых он даже < 1
.
оптрон имеет смысл если нет стабильной гальванической связи, ну или хотябы между входом и выходом какието большие сотни и тысячи вольт, что непросто током управлять при такой разности потенциалов.
оптрон это очень плохой транзистор: кроме цены как у десятка транзисторов имеет например очень низкий hFE , у некоторых он даже < 1
.- Сообщения: 521
- Зарегистрирован: Пн фев 16, 2026 17:30:02
А вообще, зачем там логические элементы? Это же схема для реверса моторчика.
Здесь вместо дискретных транзисторов достаточно было бы обычного драйвера BA6218 или подобного
Здесь вместо дискретных транзисторов достаточно было бы обычного драйвера BA6218 или подобного
А как тогда подтянуть базу к питанию?AlexS4 писал(а):оптрон в качестве транзистора (или даже двух) какжется мне неправильным
Добавлено after 1 minute 25 seconds:
[uquote="Rapra",url="/forum/viewtopic.php?p=4804149#p4804149"]А вообще, зачем там логические элементы?[/uquote]
Это из схемы L298N.
- Сообщения: 521
- Зарегистрирован: Пн фев 16, 2026 17:30:02
Логические элементы в той схеме показаны условно, как фукнционал, а не как реализация.
обычно ОЭ+OЭ или ОЭ+OБ(для инверсии)romserg писал(а):А как тогда подтянуть базу к питанию?
или с использованием fet в любых разумных комбинациях:
AlexS4, не совсем понятно. Я хотел подтянуть базу npn к питанию, а на вашей картинке показан pnp. Или я что-то не так понял?