Тепловое сопротивление кристалл-корпус составляет 1,52° на каждый ватт.
50 ватт дадут перегрев кристалла относительно корпуса 1,52*50=76°
Это означает, что при температуре корпуса транзистора 24°С, температура кристалла будет 24°С+76°=100°С
Однако между корпусом транзистора и радиатором есть тоже тепловое сопротивление.
И между радиатором и окружающей средой аналогично.
Если тепловое сопротивление корпус-радиатор, оптимистичненько так, будет всего 0.5°/Вт (а тепловые сопротивления как и обычные складываются), то превышение температуры кристалла относительно температуры радиатора будет уже (1,52+0,5)*50=101°, что даст при температуре радиатора 24°С уже 125° на кристалле.
Но это ещё холодный радиатор, всего 24°C! Радиатор тоже разогреется, в зависимости от его величины, на 20~50°, и эта его температура будет добавлена к температуре кристалла. Вот он, предел уже рядышком.
Что происходит, когда транзистора на эту же мощность два? Очень просто. Мощность на каждом уполовинивается, либо можно считать, что тепловое сопротивление одного транзистора стало в 2 раза меньше. Итого имеем перегрев кристаллов относительно радиатора не 125°, а только 62,5°. Это очень здорово, т.к. позволяет иметь гораздо более горячий радиатор (у нас ведь появился запас 62°!), а значит он может быть более лёгкий и меньшего размера. Парадокс! Радиатор стал горячее (горячее он станет даже если он точно такой же, как был у одного транзистора), а кристаллы холоднее!
Ну, а добавление третьего транзистора впараллель даст ещё 20° зазора - уже не так много, по сравнению с 62, когда разменяли один на два...