Да там, похоже, прямо на кристалле всё меж собой соединено, а по ногам разбросано для удобства разводки внешних цепей и потом на её частотах какие-то завязки вряд-ли возникнут. IMHO....
В начале жизнь мучает вопросами, в конце - ответами...
Для радиостанций на СиБи диапазон мощностью до 10вт регистрация не требуется.
Принимаю вас 595+40db на уровне шумов на кухонный приёмник,антенна наружка-магнитная катушка..работает "Акация",вот такая информация.Роман.73!!! "50 КСВ 075", UA3112SWL
Такой вопрос. Вот, например, транзистор BFR93A. В даташите на каждой странице "NPN 6 GHz wideband transistor". Однако S параметры приведены только на промежутке от 100 до 1200 МГц - где подвох?
Или лыжи не едут, или я торможу... Но я там вижу от 40МГц до 3ГГц. на Ваших 2ГГц усиление в районе 7. А на 3000МГц оно падает до 5 -- ниже график не построен -- считают не актуальным. Но можем мысленно достроить, зная что на 6ГГц он упадёт до 1.
Хм... Ан-нет, таки я туплю. Там только усиление на этом отрывке. S-характеристики и правда сокращены... Возможно они не видят актуальности выше 1,2ГГц?
Думаю, должен быть запас по частотным характеристикам транзистора. Если не ошибаюсь, на частоте Ft коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, т.е. усилительные свойства теряются полностью.
А если нужен усилитель на бОльшие частоты, так можно взять транзисторы с бОльшей граничной частотой, благо что сейчас это не проблема.
Хотя схема включения ОБ позволяет делать усилители на частоты, приближающиеся к граничной частоте транзистора, но запас облегчает жизнь.
просто КОТ писал(а):
Хм... Ан-нет, таки я туплю. Там только усиление на этом отрывке. S-характеристики и правда сокращены... Возможно они не видят актуальности выше 1,2ГГц?
Дело не в актуальности, а в ПОВТОРЯЕМОСТИ этих самых S-параметров.
Что толку их публиковать, когда на частотах выше 1200 МГц они могут иметь неприличный для расчетов разброс...
Что бы не шунтировать контур транзистором.
Если поставить полевой транзистор то можно будет включить контур полностью,так как у полевика большое входное сопротивление.
Принимаю вас 595+40db на уровне шумов на кухонный приёмник,антенна наружка-магнитная катушка..работает "Акация",вот такая информация.Роман.73!!! "50 КСВ 075", UA3112SWL
Допустим входное сопротивление транзистора 2кОм. При полном включении эти 2кОм шунтируют контур. Если подключить транзистор к части контура с коэффициентом включения 0.5(например),то результирующее сопротивление,шунтирующее контур,будет 2кОм/(0.5)^2 = 8 кОм
Шунтировать контур в данном случае плохо - губиться добротность. 2 RA3WSI А можно БП транзистор подключить к контуру целиком, через разделительный конденсатор малой емкости(не хочу делать катушку с отводами)? В этом случае спротивление транзистора не шунтирует контур.
В любом случае, если от контура отбирается хоть какая-то энергия, контур шунтируется каким-то эквивалентным сопротивлением. Последовательный конденсатор в принципе поставить можно, но он внесет дополнительный сдвиг фаз, за счет этого генерация может сорваться. Лучше конденсатор С2 контура заменить на 2 последовательных, и базу подключить к их средней точке. Но все это требует или расчетов, или макетирования.
